[发明专利]基板处理装置及利用此的基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)、气体喷射部(200)及基板支撑部(300)，所述工艺腔室(100)形成密封的处理空间(S)，所述气体喷射部(200)设置在所述工艺腔室(100)上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室(100)内部的腔室清扫气体(CCG)，所述基板支撑部(300)设置在所述工艺腔室(100)并且安装有一个以上的基板(10)，其特征在于，

所述基板支撑部(300)包括：基座部(310)，在上面安装基板(10)；多个凸出部(320)，凸出形成在所述基座部(310)上面来支撑基板(10)；气体流道部(330)，贯通所述基座部(310)，以与所述基座部(310)上面和被所述多个凸出部(320)支撑的基板(10)之间的空间连通；表面清扫气体供应部，连接于所述气体流道部(330)，以用于通过所述气体流道部(330)供应表面清扫气体(SCG)，以使表面清扫气体(SCG)流动于所述多个凸出部(320)之间；

所述基板处理装置包括控制部，所述控制部进行控制以在主清扫工艺之间通过所述气体流道部(330)供应所述表面清扫气体(SCG)，所述主清扫工艺是利用所述腔室清扫气体(CCG)清扫所述工艺腔室(100)内部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支撑部(300)是在所述基座部(310)安装电极以通过静电力夹持基板(10)的静电夹盘。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支撑部(300)还包括：

凹槽(340)，形成在所述基座部(310)上面，以通过所述基座部(310)的上面和被所述凸出部(320)支撑的基板(10)之间的空间扩散通过所述气体流道部(330)供应的吹扫气体(PG)及表面清扫气体(CCG)的中的至少一种气体。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支撑部(300)还包括坝部(350)，所述坝部(350)沿着所述基座部(310)的上面边缘周围形成相同或者高于所述凸出部(320)的高度。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述基座部(310)的上面形成与所述气体流道部(330)连通的多个气孔(312)；

所述气体流道部(330)从所述基板支撑部(300)内部分支，以分别与所述多个气孔(312)连通。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支撑部(300)还包括吹扫气体供应部，所述吹扫气体供应部连接于所述气体流道部(330)，用于通过所述气体流道部(330)供应吹扫气体(PG)，以使吹扫气体(PG)流动于所述多个凸出部(320)之间；

所述控制部进行控制，以在基板处理工艺中通过所述气体流道部(330)持续供应所述吹扫气体(PG)。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

翘曲感应部，用于感应被所述基板支撑部(300)夹持的基板(10)的翘曲程度；

所述控制部进行控制，在所述翘曲程度在已设定的基准以上的情况下，通过所述气体流道部330供应所述表面清扫气体(CCG)。