[发明专利]半导体结构的量测方法及量测装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的量测方法及量测装置。所述半导体结构的量测方法包括如下步骤：获取当前半导体结构的量测结果，所述量测结果包括针对所述当前半导体结构当前图形特征尺寸的当前量测数据和当前量测图像；当所述当前量测数据在一阈值范围内时，则将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比；当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度大于或者等于预设值时，则确认所述量测结果正常。本发明避免了量测数据在阈值范围内而量测图像异常的半导体结构流入下一制程，提高了半导体结构特征尺寸量测的准确度和可靠性，改善了半导体产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的量测方法及量测装置。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体器件，其由多个重复的存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

DRAM等半导体器件的制造过程中，晶圆要经过多个量测流程。其中，对半导体结构的特征尺寸(Critical Dimension，CD)的量测是检测半导体制程的重要因素。当前对特征尺寸的量测，是通过SPC(Statistical Process Control，统计过程控制)表判断CD量测数据是否超过上下限，若是，则通知工程师去确认量测数据和量测图像，判断晶圆是否返工(Rework)。若判断确认CD量测数据没有超过上下限，一般不会通知工程师去确认量测图像是否正常。但是，这极有可能导致量测数据没有超过上下限而量测图像异常的晶圆流入下一制程，从而影响半导体器件的整体良率。

因此，如何提高半导体结构的量测准确度和可靠性，确保半导体器件的良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构的量测方法及量测装置，用于解决现有技术中半导体结构特征尺寸量测的可靠性较低的问题，以确保半导体产品的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构量测方法，包括如下步骤：

获取当前半导体结构的量测结果，所述量测结果包括针对所述当前半导体结构当前图形特征尺寸的当前量测数据和当前量测图像；

当所述当前量测数据在阈值范围内时，则将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比；

当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度大于或者等于预设值时，则确认所述量测结果正常。

可选的，所述方法还包括：当所述当前量测数据超出阈值范围时或当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度小于预设值时，则确认所述量测结果异常。

可选的，将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比之前，还包括：

提供数据库，所述数据库中存储有多个同批量测图像；

从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。

可选的，从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括：

多个所述同批量测图像与多个同批半导体结构一一对应；

获取与多个所述同批半导体结构对应的当前基本信息；

基于所述当前基本信息获取与多个所述同批半导体结构对应的目标量测数据；

选择与所述目标量测数据匹配的同批量测图像作为所述标准量测图像。