[发明专利]半导体结构的量测方法及量测装置有效
| 申请号: | 201911220665.2 | 申请日: | 2019-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN112908874B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
| 发明(设计)人: | 周晓方 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 结构 方法 装置 | ||
1.一种半导体结构的量测方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取当前半导体结构的量测结果,所述量测结果包括针对所述当前半导体结构当前图形特征尺寸的当前量测数据和当前量测图像;
当所述当前量测数据在阈值范围内时,则将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比;
当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度大于或者等于预设值时,则确认所述量测结果正常;
当所述当前量测数据超出阈值范围时或当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度小于预设值时,则确认所述量测结果异常。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比之前,还包括:
提供数据库,所述数据库中存储有多个同批量测图像;
从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括:
多个所述同批量测图像与多个同批半导体结构一一对应;
获取与多个所述同批半导体结构对应的当前基本信息;
基于所述当前基本信息获取与多个所述同批半导体结构对应的目标量测数据;
选择与所述目标量测数据匹配的同批量测图像作为所述标准量测图像。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,所述当前基本信息包括图层信息和量测项目名称;基于所述当前基本信息获取与多个所述同批半导体结构对应的目标量测数据的具体步骤包括:
从目标设定系统中获取与所述图层信息和所述量测项目名称相应的目标量测数据。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,选择与所述目标量测数据匹配的同批量测图像作为所述标准量测图像的具体步骤包括:
根据所述目标量测数据确定阈值范围;
选择符合所述阈值范围的同批量测图像作为待选量测图像;
当所述待选量测图像的数量为多个时,根据预设条件从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,根据预设条件从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括:
对待选量测图像进行图像分析,以得到待选量测图像的量测指标值,所述量测指标值包括线宽、白边宽度、线宽区域内的洁净度中的一种或两种以上的组合;
根据所述量测指标值与目标指标值的接近度,从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,根据所述量测指标值与目标指标值的接近度,从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括:计算待选量测图像的量测指标值与目标指标值的标准差;选择所述标准差最小的待选量测图像作为所述标准量测图像。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比的具体步骤包括:
当所述当前量测图像内出现桥接时,则确认所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度低于所述预设值。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法,其特征在于,将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比的具体步骤包括:
当所述当前量测图像内未出现桥接时,从线宽、白边宽度、线宽区域内的洁净度中的一种或者两种以上的组合进行所述当前量测图像与一标准量测图像的相似度对比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





