[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法

说明书

本揭示提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括衬底、栅极层、绝缘层、半导体层、以及源极与漏极，其中，半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层为非晶氧化物半导体，第二半导体层为多晶氧化物半导体，第二半导体层内的载流子浓度大于第一半导体层内的载流子浓度，并且第二半导体层内含有大量的晶界和缺陷，第二半导体层有效的捕获工作时产生的自由电子，减小漏电流并提高器件的稳定性。

技术领域

本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

近年来，显示面板的应用领域越来越广泛。在显示设备中，薄膜晶体管器件在液晶显示面板和有机发光二极管等显示面板中起到重要的作用。

要实现大尺寸、高分辨显示面板，需要制备出较小尺寸的薄膜晶体管来与之相匹配。其中，背沟道刻蚀型结构是一种可以实现器件小型化的方法，然而，现有的在小型化的薄膜晶体管器件中，制备材料通常采用传统的a-Si或有机半导体材料，其形成的薄膜晶体管内部的迁移率较低。器件在正常工作时，其内部半导体层中的电导较低。同时，器件在关闭状态下仍可能具有较高的漏电流，或是易于产生对光敏感的载流子，最终造成器件损坏，减小显示面板的使用寿命。

综上所述，现有的显示面板内的薄膜晶体管中的载流子迁移率较低，同时器件在关闭状态下仍具有较高的漏电流，导致器件的稳定性差，显示面板的寿命不理想。

发明内容

本揭示提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法，以解决现有显示面板中的薄膜晶体管的电子迁移率较低、稳定性差，同时面板使用寿命短的问题。

为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：

根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

栅极层，所述栅极层设置在所述衬底上；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底上并覆盖所述栅极层；

半导体层，所述半导体层设置在所述绝缘层上；以及

源极与漏极，设置于半导体层的相对两侧并与所述半导体层电连接；

其中，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上，所述第二半导体层内的载流子浓度大于所述第一半导体层内的载流子浓度。

根据本揭示一实施例，所述第一半导体层的材料为非晶氧化物，所述第二半导体层的材料为多晶氧化物。

根据本揭示一实施例，所述第二半导体层的厚度小于所述第一半导体层的厚度。

根据本揭示一实施例，所述第二半导体层的厚度为

根据本揭示一实施例，所述半导体层的材料包括IGZO、IZO、AZO、ATO、GZO、ITO、TiOx及ZnO的至少其一。

根据本揭示一实施例，所述半导体层的厚度为

根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：

S100：在衬底基板上沉积栅极层；

S101：在所述栅极层表面制备绝缘层；

S102：在所述绝缘层上沉积半导体层；

S103：在所述半导体层上制备源极和漏极，并进行图形化刻蚀；

S104：对所述半导体层进行处理，使所述半导体层形成第二半导体层；

S105：沉积钝化层，形成薄膜晶体管。