[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201911219953.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111081753A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 梅雪茹;刘念 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
栅极层，所述栅极层设置在所述衬底上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底上并覆盖所述栅极层；
半导体层，所述半导体层设置在所述绝缘层上；以及
源极与漏极，设置于半导体层的相对两侧并与所述半导体层电连接；
其中，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上，所述第二半导体层内的载流子浓度大于所述第一半导体层内的载流子浓度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层的材料为非晶氧化物，所述第二半导体层的材料为多晶氧化物。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度小于所述第一半导体层的厚度。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度为
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料包括IGZO、ZIO、AZO、ATO、ZTO、ITO、TiOx及ZnO的至少其一。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的厚度为
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：在衬底基板上沉积栅极层；
S101：在所述栅极层表面制备绝缘层；
S102：在所述绝缘层上沉积半导体层；
S103：在所述半导体层上制备源极和漏极，并进行图形化刻蚀；
S104：对所述半导体层进行处理，使所述半导体层形成第二半导体层；
S105：沉积钝化层，形成薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，用射频等离子体工艺对所述半导体层进行处理。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述等离子体包括氧气和氦气的混合气体或一氧化二氮气体。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述射频等离子体工艺中射频的频率为1MHz—200MHz，功率为500W—2000W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911219953.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
