[发明专利]气密性探测装置及半导体设备控制方法

说明书

本发明提出一种气密性探测装置，用于探测半导体设备的狭缝阀的气密性，狭缝阀隔离半导体设备的两个腔室，狭缝阀根据半导体设备的加工流程选择性地开闭，气密性探测装置包括至少一个光学气体成像件，至少一个光学气体成像件位于腔室之外，至少一个光学气体成像件的探测区域覆盖狭缝阀，且通过一视窗探测狭缝阀，视窗能够透过位于光学气体成像件的探测区域内的特定气体的辐射。本发明降低了装置的安装难度，提升了探测效率。本发明还提供一种半导体设备控制方法。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是一种气密性探测装置及半导体设备控制方法。

背景技术

半导体设备一般包括至少两个腔室，且两个腔室之间或者腔室与设备外部之间设有狭缝阀。狭缝阀用于隔离两个腔室或者腔室与外部空间，并根据加工流程选择性的开闭。腔室内的气体环境，例如真空、充入卤素气体或充入惰性气体等依据加工流程改变。半导体设备对气体环境的要求高，而狭缝阀可能会具有各种原因造成的气密性不足的问题，导致各腔室的气体环境的不期望的改变，例如，两个腔室之间的气体混合、腔室内的气体泄漏至外部或外部的气体进入到腔室内等。上述气体环境的改变会造成设备腐蚀、处理气体混合比变动从而导致作业成本提高及良率降低。

现有的气体感测装置通常与泄漏或进入的气体发生反应实现感测气体。因此，需要将现有气体感测装置安装至靠近狭缝阀的位置，尤其是设于腔室之内靠近狭缝阀的位置。但是，由于腔室内的各种环境依加工流程发生改变，或其他结构上的影响，设置气体感测装置很难。此外，现有气体感测装置的效率也并不高。

发明内容

鉴于上述状况，实有必要提供一种气密性探测装置，以解决上述问题。

一种气密性探测装置，用于探测半导体设备的狭缝阀的气密性，所述狭缝阀隔离所述半导体设备的两个腔室，所述狭缝阀根据所述半导体设备的加工流程选择性地开闭，所述气密性探测装置包括至少一个光学气体成像件，所述至少一个光学气体成像件位于所述腔室之外，所述至少一个光学气体成像件的探测区域覆盖所述狭缝阀，且通过一视窗探测所述狭缝阀，所述视窗能够透过位于所述光学气体成像件的探测区域内的特定气体的辐射。

一种半导体设备控制方法，所述半导体设备包括两个腔室与一个狭缝阀，所述两个腔室互相连通，包括以下步骤：

探测所述狭缝阀处的气体辐射；

分析所述气体辐射得到至少包含气体类型、气体位置及气体量的信息；

判断得到的所述气体类型中包含不期望存在的气体的量超过预定值时，控制所述半导体设备停止运行。

本发明设置光学气体成像件探测狭缝阀处的气体辐射以分析判断是否有泄漏的特定气体，降低了装置的安装难度，提升了探测效率，从而降低了成本，保证了良率。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的气密性探测装置及其应用于的半导体设备的狭缝阀关闭的示意图。

图2为图1所示的半导体设备的狭缝阀开启的示意图。

图3为为本发明另一实施例提供的气密性探测装置及其应用于的半导体设备的狭缝阀关闭的示意图。

图4为图3所示的半导体设备的狭缝阀开启的示意图。

图5为图1所示的气密性探测装置与半导体设备的结构框图。

图6为本发明提供的半导体设备控制方法的流程图。

主要元件符号说明