[发明专利]气密性探测装置及半导体设备控制方法

权利要求书

1.一种气密性探测装置，用于探测半导体设备的狭缝阀的气密性，所述狭缝阀隔离所述半导体设备的两个腔室，所述狭缝阀根据所述半导体设备的加工流程选择性地开闭，其特征在于，所述气密性探测装置包括至少一个光学气体成像件，所述至少一个光学气体成像件位于所述腔室之外，所述至少一个光学气体成像件的探测区域覆盖所述狭缝阀，且通过一视窗探测所述狭缝阀，所述视窗能够透过位于所述光学气体成像件的探测区域内的特定气体的辐射。

2.如权利要求1所述的气密性探测装置，其特征在于，所述光学气体成像件根据探测信号分析得到所述探测区域的气体分布图，所述气体分布图至少包含气体类型、气体位置及气体量的信息。

3.如权利要求2所述的气密性探测装置，其特征在于，所述气密性探测装置还包括控制机构，所述控制机构与所述光学气体成像件、所述半导体设备通信连接，所述控制机构在判断得到的所述探测区域内有不期望存在的气体的量超过预定值时，向所述半导体设备发送警示信息。

4.如权利要求2所述的气密性探测装置，其特征在于，所述气密性探测装置还包括显示器，能够显示所述气体分布图。

5.如权利要求1所述的气密性探测装置，其特征在于，所述气密性探测装置包括两个光学气体成像件，分别探测所述狭缝阀的两侧。

6.如权利要求1所述的气密性探测装置，其特征在于，所述光学气体成像件连续或周期性地探测所述狭缝阀。

7.如权利要求6所述的气密性探测装置，其特征在于，所述光学气体成像件仅在所述狭缝阀关闭的状态下探测所述狭缝阀。

8.一种半导体设备控制方法，所述半导体设备包括两个腔室与一个狭缝阀，所述两个腔室互相连通，其特征在于，包括以下步骤：

探测所述狭缝阀处的气体辐射；

分析所述气体辐射得到至少包含气体类型、气体位置及气体量的信息；

判断得到的所述气体类型中包含不期望存在的气体的量超过预定值时，控制所述半导体设备停止运行。

9.如权利要求8所述的半导体设备控制方法，其特征在于，对所述狭缝阀的气体辐射的探测为周期性的或连续的。

10.如权利要求8所述的半导体设备控制方法，其特征在于，还包括以下步骤：显示分析所述气体辐射得到的至少包含气体类型、气体位置及气体量的信息。