[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括：支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽；焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，但由于焊垫下方为具有凹槽的支撑层，焊线底部会部分区域陷入凹槽内，使得焊线与焊垫的接触面为凸凹不平状，增大焊线与焊垫的接着性，降低焊线脱落的风险。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

在现有的工艺中，在焊垫(Pad)上进行焊线键合(wire bonding)工艺时，为了增加焊线与焊垫的接着性，需要在焊线键合工艺之前将焊垫的表面进行粗糙化处理；然后，由于焊垫一般为硬度较软的铝，在焊线键合工艺时，在键合压力(bonding force)的作用下，焊垫会很快被压平造成粗糙表面失效而无法实现增强焊线与焊垫的接着性的效果。同时，由于焊线将其下方的焊垫压扁，在工作时电流仅能从焊线两侧区域进行，这将造成工作时的电流量显著降低；且如果保护层中开口太小或者打线打歪造成焊线临近保护层时，挤压后向外排除的焊垫层下方会将保护层向上掀开或裂开，或者导致焊垫外溢，从而造成品质问题。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中的上述问题提供一种半导体结构及其制备方法。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种半导体结构，包括：

支撑层，包括焊盘区域；所述焊盘区域内的所述支撑层具有若干个凹槽；

焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。

上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，但由于焊垫下方为具有凹槽的支撑层，焊线底部会部分区域陷入凹槽内，使得焊线与焊垫的接触面为凸凹不平状，增大焊线与焊垫的接着性，降低焊线脱落的风险。

在其中一个实施例中，所述支撑层为单层结构，所述支撑层包括介质层或聚合物层，所述凹槽的深度小于等于所述支撑层的厚度。

在其中一个实施例中，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层，所述第一材料层内形成有初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于等于所述第一材料层的厚度；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面、所述初始凹槽的侧壁及所述初始凹槽的底部；所述第二材料层的厚度小于所述初始凹槽的深度。

在其中一个实施例中，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面，所述第二材料层内具有若干个所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一材料层为介质层且所述第二材料层为聚合物层，或所述第一材料层为聚合物层且所述第二材料层为介质层。

在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：

基底，所述基底内形成有集成电路；

钝化层，位于所述基底的上表面；所述支撑层位于所述钝化层的上表面；

重布线层，位于所述支撑层上，且与所述集成电路及所述焊垫相连接；

种子层，位于所述支撑层与所述焊垫之间、所述重布线层与所述支撑层之间及所述重布线层与所述集成电路之间；