[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

支撑层，包括焊盘区域；所述焊盘区域内的所述支撑层具有若干个凹槽；

焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为单层结构，所述支撑层包括介质层或聚合物层，所述凹槽的深度小于等于所述支撑层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层，所述第一材料层内形成有初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于等于所述第一材料层的厚度；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面、所述初始凹槽的侧壁及所述初始凹槽的底部；所述第二材料层的厚度小于所述初始凹槽的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面，所述第二材料层内具有若干个所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料层的厚度。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料层为介质层且所述第二材料层为聚合物层，或所述第一材料层为聚合物层且所述第二材料层为介质层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：基底，所述基底内具有集成电路结构；

钝化层，位于所述基底的上表面；所述支撑层位于所述钝化层的上表面；

重布线层，位于所述支撑层上，且与所述集成电路及所述焊垫相连接；

种子层，位于所述支撑层与所述焊垫之间、所述重布线层与所述支撑层之间及所述重布线层与所述集成电路结构之间；

保护层，位于所述支撑层的上表面，且覆盖所述重布线层及所述焊垫；所述保护层内形成有开口，所述开口暴露出所述焊垫；

焊线，一端位于所述开口内，且与所述焊垫相连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述焊线的底部与所述凹槽的底部具有间距。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述开口的下部的所述保护层内具有缺口，以使得所述开口下部的宽度大于所述开口上部的宽度。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成支撑层，所述支撑层包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽；

至少于所述支撑层的焊盘区域内形成焊垫，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层包括如下步骤：

形成介质层；

对所述介质层进行刻蚀，以于所述介质层内形成所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述介质层的厚度。

11.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层包括如下步骤：

形成聚合物层；

对所述聚合物层进行曝光显影，以于所述聚合物层内形成所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述聚合物层的厚度。

12.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层包括如下步骤：

形成第一材料层；

于所述第一材料层的上表面形成第二材料层；

于所述第二材料层内形成所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料层的厚度。