[发明专利]半导体装置以及其制作方法

说明书

本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、栅极结构、源极/漏极区、接触开孔、蚀刻停止层、层间介电层与第一接触结构。基底包括埋入式绝缘层、半导体层与隔离结构。半导体层设置于埋入式绝缘层上。栅极结构设置于半导体层上。隔离结构与源极/漏极区设置于半导体层中。接触开孔穿过基底的至少一部分。蚀刻停止层设置于栅极结构、源极/漏极区、接触开孔的侧壁以及接触开孔的底部上。层间介电层设置于蚀刻停止层上。第一接触结构贯穿接触开孔中的层间介电层与蚀刻停止层。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有蚀刻停止层的半导体装置以及其制作方法。

背景技术

在集成电路结构中，常利用于覆盖半导体元件的介电材料中形成接触结构来与半导体元件的各部件形成电连接状况。然而，随着电路结构的复杂化，对应不同部件或/及具有不同用途的接触结构可能需穿过不同材料层或/及具有不同的深度而使得形成接触结构的制作工艺复杂化并对制作工艺良率上产生不良影响，故相关的结构设计或/及制作工艺方式仍需进行改变来达到简化制作工艺以及提升生产良率的效果。

发明内容

本发明提供了一种半导体装置以及其制作方法，通过于贯穿至少部分的基底的接触开孔中形成蚀刻停止层来整合不同接触结构的制作步骤，进而达到制作工艺简化以及提升生产良率的效果。

本发明的一实施例提供一种半导体装置，包括一基底、一栅极结构、一源极/漏极区、一接触开孔、一蚀刻停止层、一层间介电层以及一第一接触结构。基底包括一埋入式绝缘层、一半导体层以及一隔离结构。半导体层设置于埋入式绝缘层上。隔离结构设置于半导体层中。栅极结构设置于半导体层上。源极/漏极区设置于半导体层中。接触开孔穿过基底的至少一部分，且至少一部分的接触开孔设置于埋入式绝缘层之上。蚀刻停止层设置于栅极结构、源极/漏极区、接触开孔的一侧壁以及接触开孔的一底部上。层间介电层设置于蚀刻停止层上，且层间介电层部分设置于接触开孔中。第一接触结构贯穿接触开孔中的层间介电层以及接触开孔中的蚀刻停止层。

本发明的一实施例提供一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基底，基底包括一埋入式绝缘层、一半导体层以及一隔离结构。半导体层设置于埋入式绝缘层上，而隔离结构设置于半导体层中。在半导体层上形成一栅极结构，并于半导体层中形成一源极/漏极区。形成一接触开孔，接触开孔穿过基底的至少一部分，且至少一部分的接触开孔形成于埋入式绝缘层之上。在栅极结构、源极/漏极区、接触开孔的一侧壁以及接触开孔的一底部上形成一蚀刻停止层。在蚀刻停止层上形成一层间介电层，且层间介电层部分形成于接触开孔中。形成一第一接触结构，且第一接触结构贯穿接触开孔中的层间介电层以及接触开孔中的蚀刻停止层。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体装置的示意图；

图2至图10为本发明第一实施例的半导体装置的制作方法示意图，其中

图3为图2之后的状况示意图；

图4为图3之后的状况示意图；

图5为图4之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图；

图7为图6之后的状况示意图；

图8为图7之后的状况示意图；

图9为图8之后的状况示意图；

图10为图9之后的状况示意图；

图11至图14为本发明第二实施例的半导体装置的制作方法示意图，其中

图12为图11之后的状况示意图；

图13为图12之后的状况示意图；

图14为图13之后的状况示意图；