[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基底，包括：

埋入式绝缘层；

半导体层，设置于该埋入式绝缘层上；以及

隔离结构，设置于该半导体层中；

栅极结构，设置于该半导体层上；

源极/漏极区，设置于该半导体层中；

接触开孔，穿过该基底的至少一部分，其中至少一部分的该接触开孔设置于该埋入式绝缘层之上；

蚀刻停止层，设置于该栅极结构、该源极/漏极区、该接触开孔的侧壁以及该接触开孔的底部上；

层间介电层，设置于该蚀刻停止层上，且该层间介电层部分设置于该接触开孔中；以及

第一接触结构，贯穿该接触开孔中的该层间介电层以及该接触开孔中的该蚀刻停止层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

导电结构，设置于该埋入式绝缘层上，其中该埋入式绝缘层具有第一侧以及于该埋入式绝缘层的厚度方向上与该第一侧相反的第二侧，该接触开孔的至少一部分设置于该埋入式绝缘层的该第一侧，该导电结构设置于该埋入式绝缘层的该第二侧，且该第一接触结构与该导电结构电连接。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该接触开孔于该埋入式绝缘层的厚度方向上贯穿该基底的该半导体层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中设置于该接触开孔中的该蚀刻停止层直接接触该半导体层的侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该接触开孔于该埋入式绝缘层的厚度方向上贯穿该基底的该半导体层与该埋入式绝缘层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中设置于该接触开孔中的该蚀刻停止层直接接触该半导体层的侧壁以及该埋入式绝缘层的侧壁。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该接触开孔于该埋入式绝缘层的厚度方向上贯穿该隔离结构。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中设置于该接触开孔中的该蚀刻停止层直接接触该隔离结构的侧壁。

9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二接触结构，贯穿该栅极结构上的该层间介电层以及该蚀刻停止层，且该第二接触结构与该栅极结构电连接；以及

第三接触结构，贯穿该源极/漏极区上的该层间介电层以及该蚀刻停止层，且该第三接触结构与该源极/漏极区电连接，其中该第一接触结构的上表面、该第二接触结构的上表面以及该第三接触结构的一上表面共平面。

10.如权利要求9所述的半导体装置，还包括：

互连结构，设置于该层间介电层上，其中该互连结构与该第一接触结构、该第二接触结构以及该第三接触结构电连接。

11.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一基底，该基底包括：

埋入式绝缘层；

半导体层，设置于该埋入式绝缘层上；以及

隔离结构，设置于该半导体层中；

在该半导体层上形成栅极结构；

在该半导体层中形成源极/漏极区；

形成接触开孔，该接触开孔穿过该基底的至少一部分，其中至少一部分的该接触开孔形成于该埋入式绝缘层之上；

在该栅极结构、该源极/漏极区、该接触开孔的侧壁以及该接触开孔的底部上形成蚀刻停止层；

在该蚀刻停止层上形成层间介电层，其中该层间介电层部分形成于该接触开孔中；以及

形成第一接触结构，该第一接触结构贯穿该接触开孔中的该层间介电层以及该接触开孔中的该蚀刻停止层。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中该接触开孔于该埋入式绝缘层的厚度方向上贯穿该基底的该半导体层。