[发明专利]晶片扩片装置在审
申请号: | 201911211800.7 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN112864045A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 曾生斗;徐坤基;巫勤达;邱垂良;曾仁栋;刘金城 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵平;周永君 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 装置 | ||
一种晶片扩片装置,包含一晶片扩片铁圈、一承载座、一晶片扩张组件以及一固定机构。晶片扩片铁圈包含一外框及一胶膜,其中胶膜连接于外框,用以贴附一晶片。承载座承载晶片扩片铁圈。晶片扩张组件用以顶推并扩张胶膜,其中晶片扩张组件包含不同尺寸的顶推滚轮,或者包含距晶片中心不同距离的顶推滚轮。固定机构用以与承载座同时固定晶片扩片铁圈的外框,并当晶片扩张组件向上顶推胶膜时,扩张胶膜而对晶片进行扩片。本发明还提供一施力组件,用以对胶膜施力,以改变胶膜的局部张力。
技术领域
本发明关于一种晶片扩片装置,且特别是关于一种具有可换扩张组件的晶片扩片装置。
背景技术
在现今封装制造工艺中,是于晶片上预留切割道,在晶片经由光刻刻蚀后,使用刀轮或激光将其切割成单一晶片,接着以真空吸取及顶针等装置将晶片逐一取下,或者在切割后研磨(Dicing Before Grinding,DBG)制造工艺或隐形切割后研磨(Stealth DicingBefore Grinding,SDBG)制造工艺后,进行扩片的动作,将粘贴于晶片底部的胶膜撑开拉断,增加晶片间的距离,以利晶片的取下。若上述分割过程失败,将导致晶片无法取下而降低产能。因此,如何预防晶片无法取下并提升产能,而探讨晶片分割的过程已成为重要的议题。
一般而言,晶片扩张组件采用固定治具来进行扩片制造工艺。然而,在单一设计下,现有晶片扩张组件无法调整与控制张力,而新的材料与制造工艺已需依照不同晶片或是材料的特性,针对特定方向来做扩片张力调整,否则可能出现局部张力不足或过大等无法调整的问题。再者,单一固定治具因其无法微调后共用会产生较高的制造工艺花费。
发明内容
本发明提出一种晶片扩片装置,其通过调整晶片扩张组件的尺寸及距离等配置,以改变贴附晶片底部的胶膜张力进行晶片扩片。如此,可经由改善局部(单一点)的胶膜张力或者使整体胶膜张力平均,而防止胶膜扩张未拉断造成晶片无法在下一制造工艺被取下,进而提升制造工艺良率。
本发明提供一种晶片扩片装置,包含一晶片扩片铁圈、一承载座、一晶片扩张组件以及一固定机构。晶片扩片铁圈包含一外框及一胶膜,其中胶膜连接于外框,用以贴附一晶片。承载座承载晶片扩片铁圈。晶片扩张组件用以顶推并扩张胶膜,其中晶片扩张组件包含不同尺寸的顶推滚轮。固定机构用以与承载座同时固定晶片扩片铁圈的外框,并当晶片扩张组件向上顶推胶膜时,扩张胶膜而对晶片进行扩片。
本发明提供一种晶片扩片装置,包含一晶片扩片铁圈、一承载座、一晶片扩张组件以及一固定机构。晶片扩片铁圈包含一外框及一胶膜,其中胶膜连接于外框,用以贴附一晶片。承载座承载晶片扩片铁圈。晶片扩张组件用以顶推并扩张胶膜,其中晶片扩张组件包含距晶片中心不同距离的顶推滚轮。固定机构用以与承载座同时固定晶片扩片铁圈的外框,并当晶片扩张组件向上顶推胶膜时,扩张胶膜而对晶片进行扩片。
本发明提供一种晶片扩片装置,包含一晶片扩片铁圈、一承载座、一晶片扩张组件、一施力组件以及一固定机构。晶片扩片铁圈包含一外框及一胶膜,其中胶膜连接于外框,用以贴附一晶片。承载座承载晶片扩片铁圈。晶片扩张组件用以顶推并扩张胶膜。施力组件用以对胶膜施力,以改变胶膜的局部张力。固定机构用以与承载座同时固定晶片扩片铁圈的外框,并当晶片扩张组件向上顶推胶膜时,扩张胶膜而对晶片进行扩片。
基于上述,本发明提供一种晶片扩片装置,其在同一治具上进行简易拆装,以改变一晶片扩张组件中的部分组件,或者另外加入一施力组件,以改变晶片扩片装置进行扩片时对于胶膜的局部张力,以便能够减少扩片成本,并提升扩片良率。
附图说明
以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是,依据在业界的标准做法,各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以清楚地表现出本发明实施例的特征。
图1为绘示本发明较佳实施例中晶片扩片装置的俯视示意图及剖面示意图;
图2为绘示本发明较佳实施例中晶片扩张组件的立体示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造