[发明专利]晶片扩片装置在审
| 申请号： | 201911211800.7 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112864045A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 曾生斗;徐坤基;巫勤达;邱垂良;曾仁栋;刘金城 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 装置 | ||
1.一种晶片扩片装置，其特征在于，包含：
一晶片扩片铁圈，包含一外框及一胶膜，其中所述胶膜连接于所述外框，用以贴附一晶片；
一承载座，承载所述晶片扩片铁圈；
一晶片扩张组件，用以顶推并扩张所述胶膜，其中所述晶片扩张组件包含不同尺寸的顶推滚轮；以及
一固定机构，用以与所述承载座同时固定所述晶片扩片铁圈的所述外框，并当所述晶片扩张组件向上顶推所述胶膜时，扩张所述胶膜而对所述晶片进行扩片。
2.如权利要求1所述的晶片扩片装置，其特征在于，多个所述顶推滚轮包含多个第一顶推滚轮以及多个第二顶推滚轮，且所述多个第一顶推滚轮的直径大于所述多个第二顶推滚轮的直径。
3.如权利要求2所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述多个第一顶推滚轮与所述多个第二顶推滚轮交错设置。
4.如权利要求3所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述多个第一顶推滚轮彼此等距。
5.如权利要求1所述的晶片扩片装置，其特征在于，多个所述顶推滚轮围绕所述晶片设置。
6.如权利要求5所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述多个顶推滚轮呈一圆形分布。
7.一种晶片扩片装置，其特征在于，包含：
一晶片扩片铁圈，包含一外框及一胶膜，其中所述胶膜连接于所述外框，用以贴附一晶片；
一承载座，承载所述晶片扩片铁圈；
一晶片扩张组件，用以顶推并扩张所述胶膜，其中所述晶片扩张组件包含距所述晶片中心不同距离的顶推滚轮；以及
一固定机构，用以与所述承载座同时固定所述晶片扩片铁圈的所述外框，并当所述晶片扩张组件向上顶推所述胶膜时，扩张所述胶膜而对所述晶片进行扩片。
8.如权利要求7所述的晶片扩片装置，其特征在于，多个所述顶推滚轮包含多个第一组顶推滚轮以及多个第二组顶推滚轮，且所述多个第一组顶推滚轮距所述晶片中心的距离大于所述多个第二组顶推滚轮距所述晶片中心的距离。
9.如权利要求8所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述多个第一组顶推滚轮彼此等距。
10.如权利要求7所述的晶片扩片装置，其特征在于，多个所述顶推滚轮围绕所述晶片呈一圆形分布。
11.一种晶片扩片装置，其特征在于，包含：
一晶片扩片铁圈，包含一外框及一胶膜，其中所述胶膜连接于所述外框，用以贴附一晶片；
一承载座，承载所述晶片扩片铁圈；
一晶片扩张组件，用以顶推并扩张所述胶膜；
一施力组件，用以对所述胶膜施力，以改变所述胶膜的局部张力；以及
一固定机构，用以与所述承载座同时固定所述晶片扩片铁圈的所述外框，并当所述晶片扩张组件向上顶推所述胶膜时，扩张所述胶膜而对所述晶片进行扩片。
12.如权利要求11所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述施力组件包含多个下压滚轮，局部下压所述胶膜。
13.如权利要求12所述的晶片扩片装置，其特征在于，所述多个下压滚轮分别位于所述晶片的相对两侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
