[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

提供一基底，其中该基底包括一低电位预定区以及一高电位预定区；

形成一第一栅极结构于该低电位预定区中且位于该基底上；

形成一第二栅极结构于该高电位预定区中且位于该基底上；

依序形成一第一介电层以及一第二介电层于该基底上并覆盖该第一栅极结构以及该第二栅极结构，其中该第二介电层的材料不同于该第一介电层；

沿着该第二栅极结构的侧壁形成一第三介电层的一部分于该第二介电层之上，其中该第三介电层的材料不同于该第二介电层；以及

通过该第三介电层的该部分作为一刻蚀硬遮罩，刻蚀该第一介电层以及该第二介电层以形成一第一复合间隔物覆盖该第一栅极结构的侧壁以及一第二复合间隔物覆盖该第二栅极结构的侧壁；

其中该第一复合间隔物是由该第一介电层的一部分以及该第二介电层的一部分组成，并且该第二复合间隔物是由该第一介电层的另一部分、该第二介电层的另一部分、以及该第三介电层的该部分组成；

其中该第一复合间隔物的宽度小于该第二复合间隔物的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介电层以及该第三介电层分别包括一氧化物材料，以及该第二介电层包括一氮化物材料。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿着该第二栅极结构的侧壁形成该第三介电层的该部分于该第二介电层之上的步骤包括：

形成该第三介电层覆盖该第二介电层；以及

刻蚀该第三介电层，以形成沿着该第二栅极结构的侧壁的该第三介电层的该部分，以及沿着该第一栅极结构的侧壁的该第三介电层的另一部分。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿着该第二栅极结构的侧壁形成该第三介电层的该部分于该第二介电层之上的步骤更包括：

形成一遮罩层于该高电位预定区中；以及

通过该遮罩层遮蔽该高电位预定区来刻蚀该第三介电层，以保留该第三介电层的该部分于该高电位预定区中，并移除位于该低电位预定区中的该第三介电层的该另一部分。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在该低电位预定区的剖面图中，该第一介电层的该部分为一L型，并且该第二介电层的该部分形成于该L型的槽口中。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在该高电位预定区的剖面图中，该第一介电层的该另一部分与该第二介电层的该另一部分皆为一L型，其中该第二介电层的该另一部分形成于该第一介电层的该另一部分的L型的槽口中，并且该第三介电层的该部分形成于该第二介电层的该另一部分的L型的槽口中。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介电层的厚度在1纳米至200纳米的范围，该第二介电层的厚度在10纳米至400纳米的范围，以及该第三介电层的厚度在20纳米至600纳米的范围。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

在形成该第一介电层的步骤之前，执行一离子注入工艺以形成一对第一轻掺杂区于该低电位预定区中且位于该第一栅极结构的相对侧，以及形成一对第二轻掺杂区于该高电位预定区中且位于该第二栅极结构的相对侧。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成该第一栅极结构于该低电位预定区的步骤包括：

形成一第一栅极介电层于该基底上；以及

形成一第一栅极电极于该第一栅极介电层上；

其中形成该第二栅极结构于该高电位预定区的步骤包括：

形成一第二栅极介电层于该基底上；以及

形成一第二栅极电极于该第二栅极介电层上，其中该第二栅极介电层的厚度大于该第一栅极介电层的厚度。