[发明专利]用于检测及报告存储器装置的故障的存储器装置及方法在审
申请号: | 201911211581.2 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111383707A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | R·J·鲁尼;G·D·沃尔夫 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 报告 存储器 装置 故障 方法 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器阵列;
第一电路,其经配置以检查所述存储器阵列的至少一部分中的错误且确定所找出的错误的计数;及
第二电路,其经配置以:
基于默认故障阈值及由所述第一电路找出的初始错误计数而确定偏移故障阈值;
将由所述第一电路找出的后续错误计数与所述偏移故障阈值进行比较;且
当所述比较指示由所述第一电路找出的所述后续错误计数大于所述偏移故障阈值时,致使进行故障程序步骤。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其经配置以:
识别先前所报告故障的先前错误范围;且
响应于确定所述后续错误计数在大于所述先前错误范围的下一错误范围内而报告故障。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中所述下一错误范围的下限与所述下一错误范围的上限之间的差是基于所述偏移故障阈值。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其经配置以发射指示故障的信令。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其经配置以通过将所述默认故障阈值与所述初始错误计数相加且将所述相加的结果调整为一系列所规定间隔中的下一最高值而确定所述偏移故障阈值。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置是DRAM装置。
7.一种方法,其包括:
经由错误检查程序步骤确定存储器装置的初始错误计数;
识别默认故障阈值;
基于所述初始错误计数与所述默认故障阈值的和而计算偏移故障阈值;
将所述偏移故障阈值与通过另一次实施所述错误检查程序步骤所得的另一错误计数进行比较;及
当所述另一错误计数大于所述偏移故障阈值时,起始故障程序步骤。
8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:
从两个或多于两个非重叠故障报告错误范围识别第一经报告故障的错误范围;及
响应于确定所述另一错误计数在所述两个或多于两个故障报告错误范围中的大于所述第一经报告故障的所述错误范围的错误范围内而报告第二故障。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者对应于低错误计数与高错误计数的划定;且
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者的所述低错误计数与所述高错误计数之间的差是所述偏移故障阈值的倍数。
10.根据权利要求8所述的方法,
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者对应于低错误计数与高错误计数的划定;且
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者的所述低错误计数与所述高错误计数之间的差是相同的。
11.根据权利要求8所述的方法,
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者对应于低错误计数与高错误计数的划定;且
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中除第一故障报告错误范围外的所有故障报告错误范围的所述低错误计数与所述高错误计数之间的差是大于所述两个或多于两个故障报告错误范围的先前范围的二的幂。
12.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于识别出故障数量达到或超出所述经计算偏移阈值而报告所述存储器装置的故障。
13.根据权利要求7所述的方法,
其中所述存储器装置是DRAM装置;且
其中产生所述初始错误计数的所述错误检查程序步骤响应于所述DRAM装置的通电或复位。
14.根据权利要求7所述的方法,其中所述存储器装置经配置以响应于所述初始错误计数而不产生故障报告。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911211581.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通过轧制模拟过程温升修正锆合金流变应力的方法
- 下一篇:显示装置