[发明专利]一种物理气相沉积设备

说明书

本发明提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种物理气相沉积设备。

背景技术

磁控溅射法作为一种常见的物理气相沉积的方法，已经成功应用于不同薄膜的制备工艺。磁控溅射法利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的物质(溅射靶材)作为靶电极(阴极)。在离子能量合适的情况下，入射离子和靶材表面的原子碰撞，将后者溅射出来，这些被溅射出来的原子带有一定的动能，并且会沿着一定的方向飞行，射向衬底并在衬底上沉积下来，从而实现薄膜的生长。在溅射过程中，可以控制溅射的气压与功率以及调整衬底与靶材之间的距离。

在现有的磁控溅射设备中，通常只设置有一个用于放置衬底的载台，同时载台是固定的，导致靶材和载台的相对位置是相对固定的，因此溅射离子在在衬底上的运动轨迹是相对固定的，导致形成的薄膜均匀性较差。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种物理气相沉积设备，以提高镀膜的均匀性。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种物理气相沉积设备，包括：

生长腔体；

至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；

多个第二载台，设置在所述载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述载台的转速。

在一实施例中，所述第一载台通过第一转轴连接第一驱动单元，所述第一驱动单元设置在所述生长腔体外。

在一实施例中，所述第一载台上设置有多个固定孔，所述多个固定孔内设置有多个第二驱动单元，所述多个第二驱动单元通过多个第二转轴连接所述多个第二载台。

在一实施例中，所述第一驱动单元通过所述第一转轴带动所述第一载台以第一转动方向旋转。

在一实施例中，所述多个第二驱动单元通过所述多个第二转轴带动所述多个第二载台以第二转动方向旋转。

在一实施例中，所述第一转动方向与所述第二转动方向为相同或相反的转动方向。

在一实施例中，所述第一转动方向和所述第二转动方向为相同的转动方向时，所述载台的转速大于或小于所述第二载台的转速。

在一实施例中，还包括一靶材，所述靶材位于所述第一载台相对的位置上。

在一实施例中，所述靶材，所述第一载台及所述多个第二载台之间存在转速差。

本实施例还提出一种物理气相沉积设备，包括：

运送腔体；

预处理腔体，连接所述运送腔体；

生长腔体，连接所述运送腔体，其中，所述生长腔体包括：

至少第一载台，设置在生长腔体内；

多个第二载台，设置在所述载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。

本发明提出一种物理气相沉积设备，通过在第一载台上设置多个第二载台，且第二载台与第一载台之间存在转速差，即第二载台的转速不同于第一载台的转速，因此在第二载台上的衬底的运动轨迹变化复杂，使得溅射离子在沉积过程更加均匀，提高了镀膜的均匀性。

附图说明

图1：本实施例中物理气相沉积设备的结构示意图。

图2：本实施例中第一载台的剖视图。