[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底表面形成多个位线结构；

在相邻所述位线结构之间形成层间介质层，所述层间介质层顶面高于所述位线结构顶面；

形成具有刻蚀窗口的第一掩膜层，所述第一掩膜层包括第一子掩膜层和第二子掩膜层，所述第一子掩膜层形成于所述位线结构顶面，具有沿第一方向延伸且间隔排列的若干条状图形，所述第一子掩膜层顶面与所述层间介质层顶面齐平；所述第二子掩膜层位于所述第一子掩膜层顶面和所述层间介质层顶面，具有沿第二方向延伸且间隔排列的若干条状图形；

以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述层间介质层，以形成接触孔，所述接触孔暴露出所述衬底表面；

所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层顶面；所述在相邻所述位线结构之间形成层间介质层包括：在相邻所述位线结构之间形成第一介质层，所述第一介质层的顶面与所述位线结构的顶面平齐；回刻所述第一介质层，以使所述第一介质层的顶面低于所述位线结构的顶面；在相邻所述位线结构之间形成所述第二介质层，所述第二介质层的顶面与所述位线结构的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底表面形成间隔排列的所述位线结构，在所述间隔排列的相邻所述位线之间形成所述层间介质层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述在相邻位线结构之间形成第二介质层之后，还包括：进行回刻工艺，以使所述位线结构的顶面低于所述第二介质层的顶面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层顶面与所述位线结构顶面高度差为20~40nm。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述进行回刻工艺，以使所述位线结构的顶面低于所述第二介质层的顶面之后，还包括：在所述第二介质层顶面和所述位线结构顶面形成第一掩膜层，位于所述第二介质层顶面的第一掩膜层的顶面与位于所述位线结构上的所述第一掩膜层的顶面平齐。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二介质层与所述第一掩膜层的粘附性大于所述第一介质层与所述第一掩膜层的粘附性。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成具有刻蚀窗口的所述第一掩膜层，具体包括：在所述层间介质层顶面和所述位线结构顶面形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层；在所述第二掩膜层上形成具有图案化开口的光刻胶层，进行第一步刻蚀工艺，以去除所述图案化开口正下方的第二掩膜层，所述第二掩膜层的刻蚀速率高于所述第一掩膜层的刻蚀速率；进行第二步刻蚀工艺，去除位于所述图案化开口正下方的部分所述第一掩膜层，以形成第一掩膜层的刻蚀窗口，所述第一掩膜层开口暴露出所述层间介质层表面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在进行所述第二步刻蚀工艺时，所述第一掩膜层的材料的刻蚀副产物与所述层间介质层的材料的刻蚀副产物不同；在进行所述第二步刻蚀工艺时，进行刻蚀副产物检测工艺，当检测到层间介质层的材料的刻蚀副产物时，结束所述第二步刻蚀工艺。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第二步刻蚀工艺之后，还包括：进行第三步刻蚀工艺，以去除所述第二掩膜层，所述第二掩膜层的刻蚀速率高于所述第一掩膜层的刻蚀速率，所述第二掩膜层的刻蚀速率高于所述层间介质层的刻蚀速率。