[发明专利]存储器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201911208847.8 申请日: 2019-11-30
公开(公告)号: CN112885707B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/762
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 存储 器件 制造 方法
【说明书】:

发明公开了一种存储器件的制造方法,包括:提供基底以及位于基底上的多个分立的第一凸起部,相邻第一凸起部与基底构成第一沟槽;对第一沟槽进行湿法清洗处理;在湿法清洗处理之后,对第一沟槽侧壁露出的第一凸起部进行氧化处理,将部分第一凸起部转化为氧化层,且剩余第一凸起部作为第二凸起部,第二凸起部的深宽比大于第一凸起部的深宽比;去除氧化层。本发明能够提高存储器件的产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种存储器件的制造方法。

背景技术

存储器件是用于存储程序或者各种数据的一种设备。存储器件的种类繁多,包括静态随机存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)、可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory,PROM)和动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)等。现有的存储器件的制造良率还有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器件的制造方法,提高存储器件的产品良率。

为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种存储器件的制造方法,包括:

提供基底以及位于基底上的多个分立的第一凸起部,相邻第一凸起部与基底构成围成第一沟槽;对第一沟槽进行湿法清洗处理;在湿法清洗处理之后,对第一沟槽侧壁露出的第一凸起部的表面进行氧化处理,将部分第一凸起部转化为氧化层,且剩余第一凸起部作为第二凸起部,第二凸起部的深宽比大于第一凸起部的深宽比;去除氧化层。

本发明实施例中,由于在进行氧化处理之后,第二凸起部的深宽比大于第一凸起部的深宽比,因而能够在基底上形成具有较大深宽比的第二凸起部,以满足第二凸起部对于尺寸的要求。此外,在进行氧化处理之前,对第一凸起部进行湿法清洗处理,能够清洗去除位于第一沟槽内的杂质,从而有利于提高形成的存储器件的质量,如提高后续形成的隔离结构的质量;且由于第一凸起部的深宽比相对较小,因而在湿法清洗处理过程中第一凸起部具有优异的抗倒塌能力,从而有效的防止第一凸起部在受到表面张力或者毛细力时发生倾斜或者倒塌,进而提高存储器件的制造良率,改善形成的存储器件的性能;另外,在去除氧化层后,可得到尺寸均匀、侧壁表面平整的第二凸起部,进而能够为后续工艺提供良好的界面基础,从而进一步提高存储器件的性能。

另外,第一凸起部的深宽比小于9,第二凸起部的深宽比大于9。当第一凸起部或者第二凸起部的深宽比大于9时,在湿法清洗处理过程中极易发生倾斜或者倒塌;第一凸起部的深宽比小于9,由此可以保证第一凸起部在湿法清洗处理过程中不会发生倾斜或者倒塌,并且为制作高深宽比的第二凸起部提供尺寸基础;第二凸起部的深宽比大于9,由此可以形成具有高深宽比的第二凸起部和高性能的存储器件。

另外,采用原位水汽生成工艺进行氧化处理;原位水汽生成工艺的工艺参数包括:压强为4~20torr,氧气流速为10~50slm,氢气流速为1~9slm,处理时间为5~100s,处理温度为700~1200℃。在上述工艺参数下,形成的氧化层具有良好的厚度均匀性,以便于提高第二凸起部的尺寸均匀性,进一步的提高第二凸起部的侧壁界面质量,便于为后续的形成工艺提供良好的界面基础,以便于进一步的提高存储器件的质量。

另外,在沿多个分立的第一凸起部的排列方向上,氧化层的厚度为2~8nm。在这一厚度范围内,便于进一步的提高氧化层的厚度均匀性。

另外,采用化学性干法刻蚀去除氧化层。化学性干法刻蚀是利用等离子体与薄膜反应进而达到去除薄膜的目的。由于没有使用液体,因此能够避免具有较高深宽比的第二凸起部在毛细力或者表面张力的作用下发生倾斜或者倒塌,从而提高存储器件的性能;另外,在采用化学性干法刻蚀去除氧化层过程中引入的杂质较少,能够保证刻蚀后形成的第二凸起部具有清洁的界面,进一步地提高后续的工艺制程的界面性能,进一步地提高了存储器件的性能。

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