[发明专利]存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的多个分立的第一凸起部，相邻所述第一凸起部与所述基底构成第一沟槽；

对所述第一沟槽进行湿法清洗处理；

在所述湿法清洗处理之后，对所述第一沟槽侧壁露出的所述第一凸起部的表面进行氧化处理，将部分所述第一凸起部转化为氧化层，且剩余所述第一凸起部作为第二凸起部，所述第二凸起部的深宽比大于所述第一凸起部的深宽比，其中，所述第一凸起部的深宽比小于9，所述第二凸起部的深宽比大于9；

采用化学性干法刻蚀去除所述氧化层。

2.根据权利要求1所述存储器件的制造方法，其特征在于，采用原位水汽生成工艺进行所述氧化处理；所述原位水汽生成工艺的工艺参数包括：压强为4~20torr，氧气流速为10~50slm，氢气流速为1~9slm，处理时间为5~100s，处理温度为700~1200℃。

3.根据权利要求2所述存储器件的制造方法，其特征在于，在沿所述多个分立的第一凸起部的排列方向上，所述氧化层的厚度为2~8nm。

4.根据权利要求1所述存储器件的制造方法，其特征在于，所述化学性干法刻蚀的工艺参数包括：压强为100~1000mtorr，氮气流速为100~500sccm，氢气流速为100~500sccm，三氟化氮流速为5~40sccm，射频功率为1000~3000w。

5.根据权利要求1所述存储器件的制造方法，其特征在于，在所述去除所述氧化层之后，还包括：所述第二凸起部和所述基底构成第二沟槽，在所述第二凸起部上形成填充满所述第二沟槽的隔离介质层。

6.根据权利要求1所述存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述基底以及所述第一凸起部的工艺步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述初始基底进行刻蚀处理，形成所述基底及所述第一凸起部。

7.根据权利要求6所述存储器件的制造方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层的材料为光刻胶材料；在进行所述湿法清洗处理之前，采用灰化工艺，去除所述图形化的掩膜层。

8.根据权利要求6所述存储器件的制造方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层包括依次堆叠的图形化的硬掩模层和图形化的光刻胶层；在进行所述湿法清洗处理之前，采用灰化工艺，去除所述图形化的光刻胶层。