[发明专利]一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法

说明书

本发明涉及芯片分析技术领域，公开了一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法，包括如下步骤：S1：将芯片放置在圆晶上；S2：喷上受热挥发的有机试剂；S3：使用胶带覆盖芯片样品；S4：加热至试剂挥发；S5：试剂挥发后撕下胶带；有机试剂可以清洁圆晶与芯片上的杂质，同时还能保护芯片，杜绝清理过程中的静电对芯片的影响，有机试剂可采用乙醇或者四氯化碳等试剂，胶带可以让有机试剂在挥发时不会让杂质移动，能固定杂质的位置，不会再次碰到芯片，有效清洁样品表面，更容易寻找到失效点，提高FA成功率。

技术领域

本发明涉及芯片分析技术领域，更具体地说，它涉及一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法。

背景技术

芯片去层即Delayer是芯片失效分析即芯片FA过程中必不可少的步骤，它是交互使用各种不同处理方式如离子蚀刻、化学药液蚀刻、机械研磨等方法，使芯片本身的多层结构被一层一层去除。透过芯片研磨与去层可逐层检视是否有缺陷，并可提供后续实验，清楚解析出每一层电路布线结构。

但是，Total delayer后的样品无法进行研磨，表面会有大量金属残留并且吸附有许多细小沾污，金属残留及沾污会导致芯片的FA的误判，导致无法找到失效真因。

发明内容

针对现有的技术问题，本发明提供一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其具有能有效清洁样品表面、更容易寻找到失效点以及提高FA成功率的优点。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法，包括如下步骤：

S1：将芯片放置在圆晶上；

S2：喷上受热挥发的有机试剂；

S3：使用胶带覆盖芯片样品；

S4：加热至试剂挥发；

S5：试剂挥发后撕下胶带。

通过采用上述技术方案，有机试剂可以清洁圆晶与芯片上的杂质，同时还能保护芯片，杜绝清理过程中的静电对芯片的影响，有机试剂可采用乙醇或者四氯化碳等试剂，胶带可以让有机试剂在挥发时不会让杂质移动，能固定杂质的位置，不会再次碰到芯片，有效清洁样品表面，更容易寻找到失效点，提高FA成功率。

本发明进一步设置为，所述S1中还包括：在放置芯片前，从侧面喷射一层有机试剂。

通过采用上述技术方案，从侧面喷射设计可冲走部分杂质。

本发明进一步设置为，所述S2中还包括：

有机试剂充盈芯片的表面，并在芯片的边角处形成张力侧边。

通过采用上述技术方案，张力侧边形成后可以避免芯片侧面被有机试剂覆盖，同时还让芯片在化学试剂上的位置得到稳固，在覆盖胶带时不会被一侧的有机试剂挤走。

本发明进一步设置为，所述S3中还包括：

S31：覆盖胶带前，将胶带表面扎出多个微孔；

S32：在胶带覆盖好后用针重复疏通微孔。

通过采用上述技术方案，多个微孔有利于排出胶带与有机溶剂之间的气泡，同时还能加速有机溶剂的挥发，缩短清理时间。

本发明进一步设置为，所述S4中还包括：

S41：由对准所述胶带的中间部位进行加热至胶带中间部位贴合于圆晶；

S42：对胶带的周缘进行加热至有机试剂完全挥发。

通过采用上述技术方案，先加热胶带中间部位避免胶带周缘贴合圆晶后增加有机溶剂挥发的难度。