[发明专利]一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法在审
| 申请号： | 201911208796.9 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110931350A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 高峰;黄勇超;林廷伟 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 表面 金属 残留 沾污 清理 方法 | ||
1.一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将芯片放置在圆晶上；
S2：喷上受热挥发的有机试剂；
S3：使用胶带覆盖芯片样品；
S4：加热至试剂挥发；
S5：试剂挥发后撕下胶带。
2.根据权利要求1所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S1中还包括：在放置芯片前，从侧面喷射一层有机试剂。
3.根据权利要求1所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S2中还包括：
有机试剂充盈芯片的表面，并在芯片的边角处形成张力侧边。
4.根据权利要求1所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S3中还包括：
S31：覆盖胶带前，将胶带表面扎出多个微孔；
S32：在胶带覆盖好后用针重复疏通微孔。
5.根据权利要求4所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S4中还包括：
S41：由对准所述胶带的中间部位进行加热至胶带中间部位贴合于圆晶；
S42：对胶带的周缘进行加热至有机试剂完全挥发。
6.根据权利要求5所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S5中还包括：
S51：连线芯片周围的微孔；
S52：沿连线路径切开胶带，取下被切胶带。
7.根据权利要求5所述的芯片表面金属残留及沾污的清理方法，其特征在于，所述S5中还包括：
S501：向芯片周围的微孔中通入纯净气体；
S502：沿着纯净气体在胶带与圆晶之间形成的气道取下胶带。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
