[发明专利]压电传感器及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201911207749.2 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110890455A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 张锋;刘文渠;吕志军;董立文;宋晓欣;崔钊;孟德天;王利波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L41/04 | 分类号: | H01L41/04;H01L23/373;H01L41/113;H01L27/20;H01L41/22;G06K9/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 佘新育 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 传感器 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种压电传感器,其特征在于,包括衬底,所述衬底包括至少一个凹陷部;所述凹陷部内填充有导热材料,所述导热材料的热传导系数大于所述衬底的热传导系数;
所述压电传感器还包括设置在所述衬底上的多个压电单元,每个所述压电单元包括层叠设置的第一电极、压电图案以及第二电极;所述压电图案的材料为压电材料。
2.根据权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述凹陷部未贯穿所述衬底,所述凹陷部设置在所述衬底的第一表面,所述压电单元设置在所述衬底的第二表面;
其中,所述第一表面和所述第二表面相对。
3.根据权利要求1或2所述的压电传感器,其特征在于,所述凹陷部内填充的所述导热材料的厚度与所述凹陷部的凹陷深度相等。
4.根据权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述衬底包括多个所述凹陷部。
5.根据权利要求1或4所述的压电传感器,其特征在于,所述压电单元在所述衬底上的正投影与所述凹陷部不重叠。
6.根据权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,所述压电图案的尺寸为微米级或纳米级。
7.根据权利要求1所述的压电传感器,其特征在于,多个所述压电单元中的所述第二电极通过连接电极电连接在一起;
所述第二电极与所述连接电极同层同材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板和如权利要求1~7任一项所述的压电传感器。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述显示面板包括多个亚像素;
所述压电单元在所述显示面板上的正投影与至少一个所述亚像素具有重叠区域。
10.一种压电传感器的制备方法,其特征在于,
在衬底上形成至少一个凹陷部;
在所述凹陷部内填充导热材料;其中,所述导热材料的热传导系数大于所述衬底的热传导系数;
在所述衬底上形成多个压电单元;每个所述压电单元包括依次形成在所述衬底上的第一电极、压电图案以及第二电极;所述压电图案的材料为压电材料。
11.根据权利要求10所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,在所述衬底上形成至少一个所述凹陷部,包括:在所述衬底的第一表面形成所述凹陷部;且所述凹陷部未贯穿所述衬底;
在所述衬底上形成多个所述压电单元,包括:在所述衬底的第二表面形成多个所述压电单元;
所述压电单元在所述衬底上的正投影与所述凹陷部不重叠,或者具有重叠区域;
其中,所述第一表面和所述第二表面相对。
12.根据权利要求10所述的压电传感器的制备方法,其特征在于,
在所述衬底一侧形成压电图案和所述第二电极,包括:
在所述第一电极上形成压电薄膜;
在所述压电薄膜上形成光刻胶图案;
通过刻蚀工艺,去除所述压电薄膜上未被所述光刻胶图案覆盖的区域,以形成所述压电图案;
去除所述光刻胶图案,在所述压电图案上形成第二电极;
或者,
在所述第一电极上形成压电薄膜;
在所述压电薄膜上形成保护图案;所述保护图案的材料为导电材料;
通过刻蚀工艺,去除所述压电薄膜上未被所述保护图案覆盖的区域,以形成所述压电图案;
在所述保护图案上形成导电层;所述保护图案和所述导电层中位于所述保护图案上的部分构成所述第二电极;
或者,在所述第一电极上形成压电薄膜;
在所述压电薄膜上形成第二电极;
通过刻蚀工艺,去除所述压电薄膜上未被所述第二电极覆盖的区域,以形成所述压电图案。
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