[发明专利]一种LED芯片的研磨抛光方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片的研磨抛光方法，包括：将LED芯片固定在研磨盘上，通过砂轮对衬底的第二表面进行首次研磨，研磨厚度为200μm‑450μm；通过砂轮对第二表面进行第二次研磨，研磨厚度为60μm‑100μm；通过砂轮对第二表面进行第三次研磨，研磨厚度为20μm‑50μm；将研磨完成的LED芯片置于抛光垫上，通过含有钻石粒径为5μm‑7μm的抛光液，对衬底的第二表面进行第一次抛光；通过含有钻石粒径为2μm‑4μm的抛光液，对第二表面进行第二次抛光，获得厚度为120μm‑230μm的LED芯片。采用上述方法，能够有效减少LED芯片的划痕，提升其亮度，并降低LED芯片的破片率和掉背镀风险。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种LED芯片的研磨抛光方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有功耗低、光效高、寿命长、体积小等诸多优点，已被广泛应用于照明、可见光通信、屏幕显示等领域。

通常，LED芯片以蓝宝石、硅或碳化硅作为衬底，在其上生长GaN基材料外延层。但是，受到切割工艺和LED应用端的需求的限制，LED芯片的最终厚度要求往往远小于其衬底的原始厚度。因此，在LED芯片的制备过程中，需要通过研磨的方式减薄衬底厚度，并通过抛光去除研磨时产生的细微划痕。

现有技术中，采用的是一步研磨和一步精抛的方法。由于只对LED芯片进行一次研磨和一次抛光，因而研磨时的进刀速度非常快，过快的进刀速度会使LED芯片的划痕增加，影响亮度；而抛光时所使用的较大的钻石粒径、抛光压力和抛光速度，也增加了LED芯片的破片率。

可见，现有技术中的研磨抛光方法降低了所制备的LED芯片的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片的研磨抛光方法，能够有效减少LED芯片的划痕，提升其亮度，并降低LED芯片的破片率和掉背镀风险。

本身请提供一种LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，所述LED芯片包括衬底、缓冲层和发光结构层，所述衬底包括沿垂直于衬底所在平面的方向相对设置的第一表面和第二表面，所述缓冲层位于所述第一表面，所述发光结构层位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；所述方法包括：

将所述LED芯片固定在研磨盘上，通过砂轮对所述LED芯片的衬底的第二表面进行首次研磨，研磨厚度为200μm-450μm；

通过砂轮对所述衬底的第二表面进行第二次研磨，研磨厚度为60μm-100μm；

通过砂轮对所述衬底的第二表面进行第三次研磨，研磨厚度为20μm-50μm；

将研磨完成的所述LED芯片置于抛光垫上，通过含有钻石粒径为5μm-7μm的抛光液，对所述衬底的第二表面进行第一次抛光；

通过含有钻石粒径为2μm-4μm的抛光液，对所述衬底的第二表面进行第二次抛光，获得厚度为120μm-230μm的LED芯片。

可选地，所述将所述LED芯片固定在研磨盘上，通过砂轮对所述LED芯片的衬底的第二表面进行首次研磨的步骤之前，还包括：

通过上蜡工艺，将蜡涂覆于所述发光结构层远离衬底的一面；涂覆的蜡的厚度为1μm-3μm。

可选地，对LED芯片的所述衬底的第二表面进行首次研磨时，研磨的进刀速度为V₁；对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第二次研磨时，研磨的进刀速度为V₂；对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第三次研磨时，研磨的进刀速度为V₃；其中，V₁>V₂>V₃。

可选地，对LED芯片的所述衬底的第二表面进行首次研磨时，研磨的进刀速度为0.7μm/s-1μm/s。