[发明专利]一种LED芯片的研磨抛光方法

权利要求书

1.一种LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，所述LED芯片包括衬底、缓冲层和发光结构层，所述衬底包括沿垂直于衬底所在平面的方向相对设置的第一表面和第二表面，所述缓冲层位于所述第一表面，所述发光结构层位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；所述方法包括：

将所述LED芯片固定在研磨盘上，通过砂轮对所述LED芯片的衬底的第二表面进行首次研磨，研磨厚度为200μm-450μm；

通过砂轮对所述衬底的第二表面进行第二次研磨，研磨厚度为60μm-100μm；

通过砂轮对所述衬底的第二表面进行第三次研磨，研磨厚度为20μm-50μm；

将研磨完成的所述LED芯片置于抛光垫上，通过含有钻石粒径为5μm-7μm的抛光液，对所述衬底的第二表面进行第一次抛光；

通过含有钻石粒径为2μm-4μm的抛光液，对所述衬底的第二表面进行第二次抛光，获得厚度为120μm-230μm的LED芯片。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，所述将所述LED芯片固定在研磨盘上，通过砂轮对所述LED芯片的衬底的第二表面进行首次研磨的步骤之前，还包括：

通过上蜡工艺，将蜡涂覆于所述发光结构层远离衬底的一面；涂覆的蜡的厚度为1μm-3μm。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，

对LED芯片的所述衬底的第二表面进行首次研磨时，研磨的进刀速度为V₁；对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第二次研磨时，研磨的进刀速度为V₂；对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第三次研磨时，研磨的进刀速度为V₃；其中，V₁>V₂>V₃。

4.根据权利要求3所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对LED芯片的所述衬底的第二表面进行首次研磨时，研磨的进刀速度为0.7μm/s-1μm/s。

5.根据权利要求3所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第二次研磨时，研磨的进刀速度为0.4μm/s-0.6μm/s。

6.根据权利要求3所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对LED芯片的所述衬底的第二表面进行第三次研磨时，研磨的进刀速度为0.2μm/s-0.3μm/s。

7.根据权利要求2所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对所述衬底的第二表面进行第一次抛光时，抛光速度为K₁；对所述衬底的第二表面进行第二次抛光时，抛光速度为K₂；其中，K₁>K₂。

8.根据权利要求7所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对所述衬底的第二表面进行第一次抛光时，抛光压力为50kg-70kg，抛光速度为1.8μm/min-2.2μm/min，抛光时间为8min-12min。

9.根据权利要求7所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，对所述衬底的第二表面进行第二次抛光时，抛光压力为50kg-70kg，抛光速度为1μm/min-1.8μm/min，抛光时间为8min-12min。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的研磨抛光方法，其特征在于，通过含有钻石粒径为2μm-4μm的抛光液，对所述衬底的第二表面进行第二次抛光，获得厚度为120μm-230μm的LED芯片的步骤之后，还包括：

通过背镀、切割、裂片、测试、分选工艺，获得制备完成的LED芯片。