[发明专利]有源区的制备方法及半导体器件

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出一种有源区的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底的预设区域形成多条按照预设规律排布的有源区，有源区具有相同的长度；通过第一掩模板对有源区进行第一次修调，以形成第一子有源区，第一子有源区的长度小于等于有源区的长度；通过第二掩模板对第一子有源区进行第二次修调，以形成第二子有源区，第二子有源区的长度小于等于第一子有源区的长度；预设区域分为边缘区域和内部区域，第一掩模板能够遮挡有源区的端部，以使位于边缘区域的第二子有源区的长度大于等于位于内部区域的第二子有源区的长度。该方法制备的有源区能够避免在基底的边缘区域形成面积较小的有源区，减少半导体器件存在的质量隐患。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种有源区的制备方法及具有该有源区的半导体器件。

背景技术

动态随机存储器是一种广泛应用的集成电路组件，尤其在信息电子业中更局不可或缺的地位。而随着产业的发展，对于更高容量的动态随机存储器的需求也随之增加。

目前，在动态随机存储器的基底的边界会形成面积较小的有源区，面积较小的有源区形成缺陷源导致不可预测的电性能，使动态随机存储器存在质量隐患。

因此，有必要研究一种新的有源区的制备方法及具有该有源区的半导体器件。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的边界有源区面积较小的不足，提供一种边界有源区面积较大的有源区的制备方法及具有该有源区的半导体器件。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种有源区的制备方法，包括：

在基底的预设区域形成多条按照预设规律排布的有源区，所述有源区具有相同的长度；

通过第一掩模板对所述有源区进行第一次修调，以形成第一子有源区，所述第一子有源区的长度小于等于所述有源区的长度；

通过第二掩模板对所述第一子有源区进行第二次修调，以形成第二子有源区，所述第二子有源区的长度小于等于所述第一子有源区的长度；

其中，所述预设区域分为边缘区域和内部区域，所述第一掩模板能够遮挡所述有源区的端部，以使位于所述边缘区域的第二子有源区的长度大于等于位于所述内部区域的第二子有源区的长度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述有源区、所述第一子有源区和所述第二子有源区具有相同的宽度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一掩模板具有多个子开孔阵列区域和多个遮挡区域；

所述子开孔阵列区域具有多个第一开孔，所述第一开孔是透光的，所述子开孔阵列区域除第一开孔之外的区域是不透光的，对所述有源区进行第一次修调是在所述第一开孔的位置用刻蚀工艺切断所述有源区，从而形成所述第一子有源区；

所述遮挡区域被多个子开孔阵列区域包围，所述遮挡区域是不透光的。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二掩模板具有P行Q列的第二开孔，所述P和Q均为正整数，所述第二开孔是透光的，所述第二掩模板除第二开孔之外的区域是不透光的，对所述第一子有源区进行第二次修调是在所述第二开孔的位置用刻蚀工艺切断所述第一子有源区，从而形成所述第二子有源区。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一开孔与所述第二开孔均是大小相等的矩形，且在所述基底上的投影不重叠。