[发明专利]有源区的制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种有源区的制备方法，其特征在于，包括：

在基底的预设区域形成多条按照预设规律排布的有源区，所述有源区具有相同的长度；

通过第一掩模板对所述有源区进行第一次修调，以形成第一子有源区，所述第一子有源区的长度小于所述有源区的长度；

通过第二掩模板对所述第一子有源区进行第二次修调，以形成第二子有源区，所述第二子有源区的长度小于所述第一子有源区的长度；

其中，所述预设区域分为边缘区域和内部区域，所述第一掩模板能够遮挡所述有源区的端部，以使位于所述边缘区域的第二子有源区的长度大于位于所述内部区域的第二子有源区的长度；

所述第一掩模板具有多个子开孔阵列区域和多个遮挡区域；

所述子开孔阵列区域具有多个第一开孔，所述第一开孔是透光的，所述子开孔阵列区域除第一开孔之外的区域是不透光的，对所述有源区进行第一次修调是在所述第一开孔的位置用刻蚀工艺切断所述有源区，从而形成所述第一子有源区；所述遮挡区域被多个子开孔阵列区域包围，所述遮挡区域是不透光的；

所述第二掩模板具有P行Q列的第二开孔，所述P和Q均为正整数，所述第二开孔是透光的，所述第二掩模板除第二开孔之外的区域是不透光的，对所述第一子有源区进行第二次修调是在所述第二开孔的位置用刻蚀工艺切断所述第一子有源区，从而形成所述第二子有源区。

2.根据权利要求1所述有源区的制备方法，其特征在于，所述有源区、所述第一子有源区和所述第二子有源区具有相同的宽度。

3.根据权利要求1所述有源区的制备方法，其特征在于，所述第一开孔与所述第二开孔均是大小相等的矩形，且在所述基底上的投影不重叠。

4.根据权利要求3所述有源区的制备方法，其特征在于，相邻所述第一开孔之间在所述第一开孔长度的方向的距离等于所述第一开孔的长度，相邻所述第一开孔之间在所述第一开孔宽度的方向的距离等于所述第一开孔的宽度；

相邻所述第二开孔之间在所述第二开孔长度的方向的距离等于所述第二开孔的长度，相邻所述第二开孔之间在所述第二开孔宽度的方向的距离等于所述第二开孔的宽度。

5.根据权利要求1所述有源区的制备方法，其特征在于，所述多个子开孔阵列区包括中部开孔区和周边开孔区；

所述遮挡区域设置为相同的两个，两个所述遮挡区域相对位于所述中部开孔区的两侧，所述周边开孔区围绕所述中部开孔区和所述遮挡区域。

6.根据权利要求5所述有源区的制备方法，其特征在于，所述周边开孔区的多个所述第一开孔排列形成至少两圈。

7.根据权利要求1所述有源区的制备方法，其特征在于，所述第二掩模板在所述基底上的正投影覆盖所述遮挡区域在所述基底上的正投影。

8.根据权利要求7所述有源区的制备方法，其特征在于，所述遮挡区域的长度与所述第二掩模板的长度相同；

所述遮挡区域的宽度W满足：W=n×s + (n+1)×k，

其中，n为正整数，s为所述第一开孔的宽度，k为相邻两个所述第一开孔在所述第一开孔的宽度方向的间离。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括基底以及按照权利要求1~8任意一项所述的有源区的制备方法制备的有源区。