[发明专利]一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法在审
申请号: | 201911202959.2 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111128769A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 魏少伟;徐达;杨彦锋;冯志宽;戎子龙;张献武;苏彦文;马玉培;李丛;马海雯;郭志强;王丽平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陈晓彦 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 封装 结构 方法 | ||
本发明提供了一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法,属于芯片封装技术领域,球栅阵列封装的植球结构包括基板、焊盘层、中心铜核球阵列以及常规焊球组;其中,基板的正面用于粘接大功率芯片,基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱;焊盘层设于基板的背面,焊盘层与基板的正面导通并与大功率芯片通过引线连接;中心铜核球阵列植于焊盘层上,中心铜核球阵列的位置用于与大功率芯片的背面对齐;常规焊球组植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构及值球方法,中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力,在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。
技术领域
本发明属于芯片封装技术领域,更具体地说,是涉及一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法。
背景技术
随着电子产品不断向小型化,多功能化,高度集成方向发展,集成电路的组装密度不断增加,导致单位面积的封装发热量也不断加大。BGA(Ball GridArray Package,球栅阵列)封装是目前电子封装领域应用很广的一种封装形式,通过锡球作为引脚,贴装至电路板上,实现芯片与电路板电气性能的连接,由于大功率芯片面积小且功率大,这对散热是一个极大的考验。通常的散热方法是发热芯片上方增加散热结构,如增加金属热沉结构,利用热沉将芯片的热量传导出去,但是目前产品都在向轻薄化方向发展,给散热留有的空间极小,尤其是厚度方向,没有多余的空间增加散热装置,因此在不增加BGA封装尺寸的情况下,BGA封装的散热效果很差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法,旨在解决球栅阵列封装的散热能力差的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种球栅阵列封装的植球结构,包括:
基板,正面用于粘接大功率芯片,基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱;
焊盘层,设于基板的背面,焊盘层与基板的正面导通并用于通过引线与大功率芯片连接;
中心铜核球阵列,植于焊盘层上,中心铜核球阵列用于与大功率芯片的背面对齐;
常规焊球组,植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。
作为本申请另一实施例,常规焊球组的焊球高度与中心铜核球阵列的铜核球高度相同。
作为本申请另一实施例,常规焊球组的焊球的熔点高于在球栅阵列封装时采用的焊膏的熔点。
作为本申请另一实施例,焊球为锡焊球。
作为本申请另一实施例,中心铜核球阵列的面积大于或等于大功率芯片的背面面积。
作为本申请另一实施例,常规焊球组在中心铜核球阵列的周围至少设有两圈。
本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构的有益效果在于:与现有技术相比,本发明一种球栅阵列封装的植球结构,基板上设有用于导通其正面和背面的导柱,基板的正面粘接大功率芯片,大功率芯片与导柱通过引线连接,从而实现基板背面的焊盘层与大功率芯片连通,结构紧凑、占用空间小;
焊盘层上与大功率芯片背面对齐的位置区域植中心铜核球阵列,在中心铜核球阵列的周围植常规焊球组,利用铜的高热导率,中心铜核球阵列能够快速对大功率芯片进行散热,从而提高球栅阵列封装的散热能力,保证大功率芯片的正常工作;
在中心铜核球阵列的周围植常规焊球组,常规焊球组的刚度小,能够有效缓解热应力,可见,中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力,与常规的球栅阵列封装方式相比,在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。
本发明还提供了一种球栅阵列封装的植球方法,用于获得上述一种球栅阵列封装的植球结构,包括以下步骤:
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