[发明专利]一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法

权利要求书

1.一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于，包括：

基板，正面用于粘接大功率芯片，所述基板上穿设有用于导通所述基板的正面和背面的导柱；

焊盘层，设于所述基板的背面，所述焊盘层与所述基板的正面导通并用于通过引线与所述大功率芯片连接；

中心铜核球阵列，植于所述焊盘层上，所述中心铜核球阵列用于与所述大功率芯片的背面对齐；

常规焊球组，植于所述焊盘层上并成环型围绕于所述中心铜核球阵列周围。

2.如权利要求1所述的一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于：所述常规焊球组的焊球高度与所述中心铜核球阵列的铜核球高度相同。

3.如权利要求2所述的一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于：所述常规焊球组的焊球的熔点高于在球栅阵列封装时采用的焊膏的熔点。

4.如权利要求3所述的一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于：所述焊球为锡焊球。

5.如权利要求1所述的一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于：所述中心铜核球阵列的面积大于或等于所述大功率芯片的背面面积。

6.如权利要求5所述的一种球栅阵列封装的植球结构，其特征在于：所述常规焊球组在所述中心铜核球阵列的周围至少设有两圈。

7.一种球栅阵列封装的植球方法，用于获得如权利要求1-6任一项所述的球栅阵列封装的植球结构，其特征在于，包括以下步骤：

将大功率芯片通过金锡烧结或导电胶粘接至基板正面，并通过所述基板上的导柱引至所述基板背面的焊盘层；

将连接了所述大功率芯片的所述基板背面向上固定于夹具上，在所述焊盘层上分区域进行植球，其中，与所述大功率芯片背面对齐的区域植入中心铜核球阵列，在所述中心铜核球阵列的周围其他区域植入常规焊球组；

将固定有所述基板的所述夹具放入回流焊炉内，对所述中心铜核球阵列、所述常规焊球组同时进行回流焊，获得球栅阵列封装结构。

8.如权利要求7所述的一种球栅阵列封装的植球方法，其特征在于，在所述焊盘层上分区域进行植球包括：

在所述焊盘层上通过钢网印刷所述锡膏或所述助焊剂；

使用激光植球机进行分区域植球。

9.如权利要求7所述的一种球栅阵列封装的植球方法，其特征在于，在所述焊盘层上分区域进行植球包括：

在一平面载体上涂覆焊膏或助焊剂，使用转印头沾取平面载体上的焊膏或助焊剂后转印至所述焊盘层的各个焊盘上；

使用平面吸附头将所述中心铜核球阵列吸附并放置于与所述大功率芯片背面对齐的所述基板的背面区域；

使用凹型吸附头将所述常规焊球组吸附并放置于所述中心铜核球阵列的周围。

10.如权利要求7所述的一种球栅阵列封装的植球方法，其特征在于，在所述焊盘层上分区域进行植球包括：

在一平面载体上涂覆焊膏或助焊剂，使用平面吸附头将中心铜核球阵列吸附并转印锡膏或助焊剂；

将转印了所述锡膏或所述助焊剂的所述中心铜核球阵列通过平面吸附头放置于与所述大功率芯片背面对齐的所述基板的背面区域；

使用凹型吸附头将常规焊球组吸附并转印所述锡膏或所述助焊剂；

将转印了所述锡膏或所述助焊剂的所述常规焊球组通过凹型吸附头放置于所述中心铜核球阵列的周围。