[发明专利]制造半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201911202106.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261582A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 萧志民;赖志明;赖建文;张雅惠;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
在一绝缘层的一上部表面上沉积一硬遮罩层；
蚀刻该硬遮罩层，以在该硬遮罩层中形成一开口；
经由该开口在该绝缘层中形成一通孔凹槽；
在该硬遮罩层上及在该通孔凹槽中形成一第一光阻层；
蚀刻该第一光阻层，以在该通孔凹槽中形成一光阻插塞；
蚀刻该开口的两个相对侧，以移除该硬遮罩层的部分，并借此暴露该绝缘层的该上部表面的一部分；
移除该光阻插塞；
在该通孔凹槽中及在该绝缘层的已暴露的该上部表面上沉积一金属；以及
图案化该金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
