[发明专利]电能供应系统与其封装结构有效
| 申请号: | 201911201143.8 | 申请日: | 2019-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN112331977B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
| 发明(设计)人: | 杨思枬 | 申请(专利权)人: | 辉能科技股份有限公司;辉能控股股份有限公司 |
| 主分类号: | H01M50/184 | 分类号: | H01M50/184;H01M50/193 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 张放 |
| 地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电能 供应 系统 与其 封装 结构 | ||
1.一种电能供应系统,包含有:
一第一极层,具有一第一活性材料层以及直接接触于该第一活性材料层的一第一集电层,该第一集电层具有一第一密封接合区域;
一第二极层,具有一第二活性材料层以及直接接触于该第二活性材料层的一第二集电层,该第二集电层具有一第二密封接合区域;
一隔离层,位于该第一极层与该第二极层之间;以及
一可挠式密封框,设置于该第一集电层的该第一密封接合区域与该第二集电层的该第二密封接合区域之间,且该可挠式密封框将该第一集电层黏合至该第二集电层来提供一容置空间以容置该第一活性材料层、该第二活性材料层以及该隔离层,其中该可挠式密封框包含有:
两个第一硅胶层,其中的一个该第一硅胶层黏合于该第一集电层的该第一密封接合区域、另一该第一硅胶层黏合于该第二集电层的该第二密封接合区域,其中每一第一硅胶层皆主要包含有下列化学式一:
;
以及
一第二硅胶层,位于该两个第一硅胶层之间并加以黏合于其间,其中该第二硅胶层主要包含有下列化学式二:
其中该些第一硅胶层与该第二硅胶层都具有该化学式一与该化学式二的成份;
其中每一该第一硅胶层的厚度为该隔离层与该第一活性材料层的厚度总和、或是该隔离层与该第二活性材料层的厚度总和的70-90%;
其中该第二硅胶层的厚度为一设定值,该设定值不随着该第一硅胶层的厚度而变化;其中该第二硅胶层的厚度为0.5-2.5微米。
2.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第一集电层的该第一密封接合区域为沿着该第一集电层周围的区域、该第二集电层的该第二密封接合区域为沿着该第二集电层周围的区域。
3.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中至少其中一该第一集电层与该第二集电层为一印刷电路板的一金属层。
4.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第一活性材料层直接接触于该可挠式密封框,而该第二活性材料层不与该可挠式密封框接触。
5.根据权利要求4所述的电能供应系统,其中该第一活性材料层为一阳极活性材料层、该第二活性材料层为一阴极活性材料层。
6.根据权利要求4所述的电能供应系统,其中部份该第二集电层自该可挠式密封框以及该第二活性材料层间显露。
7.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该些第一硅胶层通过增加加成型硅胶的组成比例来予以改质。
8.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该些第一硅胶层于硅胶内增添环氧树脂、压克力酸或其组合来予以改质。
9.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第二硅胶层还包含有一间隔物,该间隔物硅包含有二氧化硅、氧化钛颗粒或其组合。
10.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中于该第二硅胶层中该化学式二成份的量比每一该第一硅胶层中该化学式二成份的量大于0.1-60%。
11.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第二硅胶层的厚度为1-2微米。
12.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第一硅胶层的厚度为该隔离层与该第一活性材料层的厚度总和、或是该隔离层与该第二活性材料层的厚度总和的75-80%。
13.根据权利要求1所述的电能供应系统,其中该第二硅胶层具有湿气阻隔的结晶结构。
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