[发明专利]一种集成电路制造用石英热屏板再生方法

权利要求书

1. 一种集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于，包括如下工序：

A、有机溶剂浸泡

将待再生石英热屏板放置于温度为30~50℃的有机溶液处理剂中浸泡，去除

或者疏松附着在表面的金属化有机物；

B、CO₂微粒喷射

将经步骤A处理后的石英热屏板进行CO₂微粒喷射冲洗，所采用的气压力

为0.3-0.9Mpa，出冰量为0.1-1kg/min，微粒喷射喷枪与石英热屏板的间距设置为20-40mm，方向与清洁表面的角度为45°；

C、表面蚀刻

将CO₂微粒喷射处理后的石英热屏板放入蚀刻槽，使用酸性蚀刻液进行表面

蚀刻，纯水冲洗，干燥后完成表面修复；

D、超声波清洗

表面蚀刻处理后的石英热屏板运至100级无尘室进行超声波清洗，而后超纯水冲洗并氮气吹干，

其中，所述有机溶液处理剂包含如下体积份组分：5~10份酸性缓冲剂、5~10份氟化物、10~20份胺类有机溶剂、10~20份酮类有机溶剂以及10~30份纯水；

所述酸性蚀刻液包括如下体积份组分：5~15份氟酸、10~20份乙酸、10~20份乙酸铵、0.02~2份吐温80以及30~80 体积份纯水。

2.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：

其中，步骤A中，所述酸洗缓冲液剂为甲酸、乙酸、草酸之一或任意组合；

所述氟化物为氟酸、氟化铵、氟化氢铵之一或任意组合；

所述胺类有机溶剂为一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺之一或任意组合；

所述酮类有机溶剂为环已酮、N-甲基吡咯烷酮之一或组合；

所述纯水为电阻率大于6M的去离子水。

3.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：

其中，步骤A中，石英热屏板的浸泡处理时间为10~30min，而后将其取出，超纯水冲淋3~5min并吹干。

4.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：

其中，CO₂微粒喷射清洗完毕后，通过波长为254nm的紫外灯进行部件清洗效果的检测，当石英热屏板表面无亮斑时，CO₂微粒喷射处理完毕。

5.根据权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：

其中，步骤C中，蚀刻温度为20~30℃，蚀刻时间为30~60min，蚀刻完毕后使用18M去离子水冲洗5min并吹干。

6.权利要求1所述的集成电路制造用石英热屏板再生方法，其特征在于：

其中，步骤D中所采用的超声波频率为40~80KHz，超声波清洗时间为10~30min，而后采用18M超纯水冲洗5~10min，氮气吹干。