[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括：

第一存储单元，所述第一存储单元具有耦接到第一接触插塞的第一电流路径，所述第一电流路径具有第一电阻；和

第二存储单元，所述第二存储单元具有耦接到第二接触插塞的第二电流路径，所述第二电流路径具有第二电阻，所述第二电阻高于所述第一电阻，

其中，所述第一接触插塞的电阻高于所述第二接触插塞的电阻，以补偿所述第一电阻和所述第二电阻之间的差。

2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

多条导线，所述多条导线包括行线和列线；

多个接触插塞，所述多个接触插塞包括行接触插塞和列接触插塞，所述行接触插塞分别耦接到所述行线，所述列接触插塞分别耦接到所述列线；和

多个存储单元，所述多个存储单元设置在单元区中，并且包括所述第一存储单元和所述第二存储单元，每个存储单元具有耦接到行接触插塞和列接触插塞的电流路径，所述电流路径包括列线的耦接在对应存储单元和所述列接触插塞之间的一部分、以及行线的耦接在所述对应存储单元和所述行接触插塞之间的一部分。

3.根据权利要求2所述的电子设备，还包括：

第三接触插塞和第四接触插塞，它们设置在所述单元区的外围，

其中，所述第一电流路径包括第一导线的耦接在所述第一存储单元和所述第三接触插塞之间的一部分，

其中，所述第二电流路径包括第二导线的耦接在所述第二存储单元和所述第四接触插塞之间的一部分，并且

其中，所述第一导线的所述一部分比所述第二导线的所述一部分更短，并且具有比所述第二导线的所述一部分更低的电阻。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述单元区包括与所述第一接触插塞和所述第二接触插塞相邻的第一区域，和与所述第一区域相邻的第二区域，

其中，所述第一导线设置在所述第一区域中，并且不设置在所述第二区域中，并且

其中，所述第二导线设置在所述第二区域中。

5.根据权利要求3所述的电子设备，

其中，所述单元区包括：

第一区域，所述第一区域与所述单元区的第一侧相邻，所述第一侧与所述第一接触插塞和所述第二接触插塞相邻，以及

第二区域，所述第二区域与所述单元区的第二侧相邻，所述第二侧与所述第一侧相对；其中，所述第一导线设置在所述第一区域中，并且不设置在所述第二区域中，并且

其中，所述第二导线设置在所述第二区域中。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一接触插塞包括如下区域：所述区域具有高于所述第二接触插塞的对应区域的氧浓度，以增加所述第一接触插塞的电阻。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一接触插塞包括设置在所述第一接触插塞的表面上的氧化物图案，以增加所述第一接触插塞的电阻。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述第一接触插塞包括第一导电部分和设置在所述第一导电部分之上的第二导电部分，并且所述氧化物图案设置在所述第一导电部分的表面之上。