[发明专利]加速度传感器及其制备方法

说明书

本发明公开一种加速度传感器，所述加速度传感器包括：壳体，围合成容置腔，所述壳体的材质为硅；检测组件，设于所述容置腔内，所述检测组件包括质量块、支撑杆以及耦合件，所述质量块通过所述支撑杆连接于所述容置腔的底壁，所述容置腔的底壁凸设所述耦合件，所述耦合件包绕所述质量块设置，且所述质量块之间设置有的间隙的宽度处处相等；所述支撑杆为弹性件，所述弹性件在外力的作用下形变以使所述质量块在水平方向运动；所述质量块为多边形或圆形，所述质量块的边数大于四个，所述检测组件的材质为硼掺杂硅。本发明还公开一种加速度传感器的制备方法。本发明公开的加速度传感器能够检测360°方位上的加速度，或者可检测多于4个方位上的加速度。

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种加速度传感器及其制备方法。

背景技术

加速度传感器是一种测量物体运动时加速度大小的传感器。例如，车载加速度传感器可以帮助人们判断车子的运行状态，防止交通事故的发生。近年来，随着代步工具(如平衡车，共享单车，电瓶车等)的普及和发展，一方面对车载加速度传感器的需求量逐年增加，另一方面对加速度传感器的技术性能要求更为多样。

示例性技术中，加速度传感器主要有单轴和双轴。单轴的加速度传感器只能测量单一方向，也就是水平方向，如果物体不是沿着水平运动则测量结果出现偏差。而双轴加速度传感器，其实就是将普通两个单轴传感器垂直摆放，这样可以实现水平和垂直的测量。示例性技术中，加速度传感器最多检测四个方位的加速度，加速度传感器测量的加速度方位较少。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种加速度传感器及其制备方法，旨在解决加速度传感器测量的加速度方位较少的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种加速度传感器，所述加速度传感器包括：

壳体，围合成容置腔，所述壳体的材质为硅；

检测组件，设于所述容置腔内，所述检测组件包括质量块、支撑杆以及耦合件，所述质量块通过所述支撑杆连接于所述容置腔的底壁，所述容置腔的底壁凸设所述耦合件，所述耦合件包绕所述质量块设置，且所述质量块之间设置有的间隙的宽度处处相等；所述支撑杆为弹性件，所述弹性件在外力的作用下形变以使所述质量块在水平方向运动；所述质量块为多边形或圆形，所述质量块的边数大于四个，所述检测组件的材质为硼掺杂硅。

在一实施例中，所述加速度传感器还设有集成芯片，所述集成芯片分别与所述支撑杆以及所述耦合件电连接。

在一实施例中，所述集成芯片位于所述壳体的外表面，所述壳体上设置有通孔；所述加速度传感器还包括导电件，所述导电件穿过所述通孔，以连接所述集成芯片与所述支撑杆以及所述耦合件。

在一实施例中，所述导电件填充于所述通孔内。

在一实施例中，所述加速度传感器还包括罩体，所述罩体盖设于所述壳体的外表面构成容置所述集成芯片的容置腔，所述罩体的材质为硅。

在一实施例中，所述壳体包括第一硅基板以及第二硅基板，所述第二硅基板朝向所述第一硅基板的一侧设有容置槽，所述第一硅基板与所述容置槽围合成所述容置腔。

在一实施例中，所述壳体为方形。

为实现上述目的，本发明还提供一种加速度传感器的制备方法，所述加速度传感器的制备方法包括以下步骤：

在制造基板的硼掺杂硅层进行刻蚀，以在所述制造硅基板的单晶硅层上刻蚀出检测组件，所述检测组件包括支撑杆、与所述支撑杆连接的质量块以及包绕所述质量块且与所述质量块之间设置有间隙的耦合件，所述间隙的宽度处处相等，所述制造硅基板包括第一厚度的单晶硅层以及第二厚度的硼掺杂硅层，所述质量块为圆形或多边形，且在所述质量块为多边形时，所述质量块的顶角数量大于四个；