[发明专利]加速度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种加速度传感器，其特征在于，所述加速度传感器包括：

壳体，围合成容置腔，所述壳体的材质为硅；

检测组件，设于所述容置腔内，所述检测组件包括质量块、支撑杆以及耦合件，所述质量块通过所述支撑杆连接于所述容置腔的底壁，所述容置腔的底壁凸设所述耦合件，所述耦合件包绕所述质量块设置，且所述质量块之间设置有的间隙的宽度处处相等；所述支撑杆为弹性件，所述弹性件在外力的作用下形变以使所述质量块在水平方向运动；所述质量块为多边形或圆形，所述质量块的边数大于四个，所述检测组件的材质为硼掺杂硅，其中，在所述耦合件以及所述支撑杆通电时，所述耦合件与所述质量块构成电容，以使所述加速度传感器根据所述电容的变化，获得移动方向的加速度值；

所述加速度传感器还设有集成芯片，所述集成芯片分别与所述支撑杆以及所述耦合件电连接；

所述集成芯片位于所述壳体的外表面，所述壳体上设置有通孔；所述加速度传感器还包括导电件，所述导电件穿过所述通孔，以连接所述集成芯片与所述支撑杆以及所述耦合件，所述加速度传感器通过晶圆级工艺进行切割制得。

2.如权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述导电件填充于所述通孔内。

3.如权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述加速度传感器还包括罩体，所述罩体盖设于所述壳体的外表面构成容置所述集成芯片的容置腔，所述罩体的材质为硅。

4.如权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述壳体包括第一硅基板以及第二硅基板，所述第二硅基板朝向所述第一硅基板的一侧设有容置槽，所述第一硅基板与所述容置槽围合成所述容置腔。

5.如权利要求1-4任一项所述的加速度传感器，其特征在于，所述壳体为方形。

6.一种加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述加速度传感器的制备方法包括以下步骤：

在制造硅 基板的硼掺杂硅层进行刻蚀，以在所述制造硅基板的单晶硅层上刻蚀出检测组件，所述检测组件包括支撑杆、与所述支撑杆连接的质量块以及包绕所述质量块且与所述质量块之间设置有间隙的耦合件，所述间隙的宽度处处相等，所述制造硅基板包括第一厚度的单晶硅层以及第二厚度的硼掺杂硅层，所述质量块为圆形或多边形，且在所述质量块为多边形时，所述质量块的顶角数量大于四个；

将所述支撑杆以及所述耦合件的自由端与第一硅基板的表面粘接，并去除所述单晶硅层；

在第二硅基板上刻蚀形成容置槽，将第二硅基板刻蚀有所述容置槽的一侧与所述第一硅基板粘接，以使所述第一硅基板与容置槽围合为容置所述检测组件的容置腔；

所述加速度传感器的制备方法还包括：

在所述第二硅基板刻蚀形成通孔；

在所述通孔内设置导电件；

在所述第二硅基板的外表面粘接集成芯片；

通过导电件将所述集成芯片与所述支撑杆以及所述耦合件连接。

7.如权利要求6所述的加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述通孔内设置导电件的步骤包括：

在所述通孔内填充金属得到导电件。

8.如权利要求6所述的加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第二硅基板的外表面粘接集成芯片的步骤之后，所述加速度传感器的制备方法还包括：

在第三硅基板表面刻蚀形成容置槽；

将第三硅基板刻蚀有所述容置槽的一侧与所述第二硅基板的外表面粘接，以使所述第二硅基板与容置槽围合为容置所述集成芯片的容置腔。

9.如权利要求6-8任一项所述的加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述将第二硅基板刻蚀有所述容置槽的一侧与所述第一硅基板粘接的步骤之后，还包括：

对容置所述检测组件的壳体进行切割得到方形的加速度传感器。