[发明专利]晶圆处理设备及晶圆处理装置在审
| 申请号： | 201911198096.6 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885734A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨抗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 设备 装置 | ||
1.一种晶圆处理设备，设置有聚焦环放置位，以放置聚焦环，其特征在于，还包括限位部，外露于所述聚焦环放置位上表面设置，用于与所述聚焦环表面设置的卡槽相互配合，对所述聚焦环进行限位，所述限位部能够发生可回弹的形变，所述限位部至少在一水平方向上的尺寸大于卡槽在该水平方向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，还包括设置于所述聚焦环放置位内的底座，所述限位部连接至所述底座。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部与所述底部一体成型。
4.根据权利要求2所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部包括至少两个子瓣，所述子瓣均匀分布于所述底座上表面。
5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述子瓣围成圆形，所述圆形的直径范围为3cm至5cm。
6.根据权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部包括聚酰亚胺树脂材质子瓣、TUV材质子瓣、HUS材质子瓣、PE材质子瓣中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部的数目与所述聚焦环表面设置的卡槽数目一致。
8.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部设置到的位置与所述聚焦环表面卡槽设置到的位置相对应。
9.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部水平放置时，所述限位部的竖直高度大于等于所述卡槽的深度。
10.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部的外侧表面设置有防滑筋条。
11.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述限位部可拆卸的安装至所述聚焦环放置位。
12.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括如权利要求1至11中任一项所述晶圆处理设备以及聚焦环，所述聚焦环设置于所述聚焦环放置位，被所述限位部所限位。
13.根据权利要求12所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述限位部的数目小于等于所述聚焦环表面设置的卡槽数目，且所述限位部设置到的位置也与所述卡槽的位置对应。
14.根据权利要求12所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述聚焦环表面设置有至少3个卡槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
