[发明专利]晶圆键合方法

说明书

本发明提供了一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆分别具有正面和背面；在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面；对所述第一晶圆的背面进行预处理工艺或/和对所述第二晶圆的背面进行预处理工艺；将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合。在本发明提供的晶圆键合方法中，在第一晶圆正面与第二晶圆正面相键合的步骤之前，增加一道预处理工艺步骤，减少所述第一晶圆或/和第二晶圆的翘曲度，可以有效地改善(降低)晶圆键合时的扭曲度，降低晶圆键合扭曲度，有利于提供晶圆键合后续工艺的均一性，从而最终提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆键合方法。

背景技术

随着微电子技术的发展，器件越来越小型化，可能会带来读码延迟，功耗增加，发热增大，可以通过将平面工艺的集成电路通过三维集成，来降低金属互联距离，提升产品性能，而晶圆键合是三维集成的主要方法。

晶圆键合效果的好坏的评价参数是扭曲度，扭曲度太大在后续的工艺中可能造成光刻对准精度变差，甚至造成良率损失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆键合方法，减少晶圆键合面的翘曲度，使得晶圆与晶圆之间键合的效果更好。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆键合方法，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆分别具有正面和背面；

在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面；

对所述第一晶圆的背面进行预处理工艺或/和对所述第二晶圆的背面进行预处理工艺；

将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，所述预处理工艺包括：

化学气相沉积工艺形成一层薄膜；

清洗所述薄膜，减少薄膜表面的颗粒。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，所述薄膜为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的组合。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，清洗所述薄膜可以采用SC₁，SC₂，双氧水，去离子水清洗液。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，清洗所述薄膜的时间为1秒～600秒。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，所述薄膜为100埃～50000埃。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，所述薄膜的应力为-200Mpa～200Mpa。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，清洗所述薄膜时，所述第一晶圆或所述第二晶圆的正面通过惰性气体进行保护。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面的方法包括：在所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面分别形成氧化物薄膜。

可选的，在所述的晶圆键合方法中，所述氧化物的材料为氧化硅。

在本发明提供的晶圆键合方法中，在第一晶圆正面与第二晶圆正面相键合的步骤之前，增加一道预处理工艺步骤，减少所述第一晶圆或/和第二晶圆的翘曲度，可以有效地改善(降低)晶圆键合时的扭曲度，降低晶圆键合扭曲度，有利于提供晶圆键合后续工艺的均一性，从而最终提高产品良率。

附图说明

图1是本发明的晶圆键合方法的流程图；

图2至图4是本发明实施例一的圆键合方法的剖面图；