[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201911194941.2 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111063620A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吴佳宏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆分别具有正面和背面；
在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面；
对所述第一晶圆的背面进行预处理工艺或/和对所述第二晶圆的背面进行预处理工艺；
将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合。
2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述预处理工艺包括：
化学气相沉积工艺形成一层薄膜；
清洗所述薄膜，减少薄膜表面的颗粒。
3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述薄膜为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的组合。
4.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，清洗所述薄膜可以采用SC1，SC2，双氧水，去离子水清洗液。
5.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，清洗所述薄膜的时间为1秒～600秒。
6.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述薄膜为100埃～50000埃。
7.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述薄膜的应力为-200Mpa～200Mpa。
8.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，清洗所述薄膜时，所述第一晶圆或所述第二晶圆的正面通过惰性气体进行保护。
9.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在所述第一晶圆和所述第二晶圆的正面分别形成键合面的方法包括：在所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面分别形成氧化物薄膜。
10.如权利要求9所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述氧化物的材料为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
