[发明专利]一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置有效
| 申请号: | 201911194577.X | 申请日: | 2019-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN111059992B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 梁凤丽 | 申请(专利权)人: | 江苏明纳半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | G01B5/24 | 分类号: | G01B5/24;C30B33/06;C30B29/06;C23C18/34;C22C1/02;C22C1/06;C22C21/08;C22C21/10;C22F1/047;C22F1/053 |
| 代理公司: | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人: | 国红 |
| 地址: | 224700 江苏省盐城市建湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 单晶硅 定向 测试 装置 | ||
本发明公开了一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置,包括柜体,所述柜体底面靠近四个顶角的位置处设置有移动滚轮,所述柜体前端面靠近顶部的位置处设置有书写板,所述柜体顶面靠近左、右两侧的位置处设置有支撑块,所述支撑块顶面之间靠近顶部的位置处设置有固定横杆,所述固定横杆中间的位置处设置有测量装置;本装置可以更换测量盖板和辅助盖板,来满足不同直径的硅晶棒,同时在测量的过程中只需观察连接板的状态,操作比较简单,同时方便记录,在底部设置有移动滚轮,方便移动,本装置的结构较为简单,成本较为低廉,适合推广使用。所述固定横杆由耐磨铝合金材料按常规工艺制备而成,具有较好的硬度、耐磨性等优点。
技术领域
本发明涉及一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置。
背景技术
人工生产出来的单晶硅晶棒在加工出各种规格晶片前,需要利用磨削设备将晶棒柱面加工出参考边,并按测定角度值将晶棒粘结在料板上,进行晶棒粘接,晶棒需要有相配套的可将晶棒柱面参考边根据需要指向需要的角度,但是在现有技术中,还没有设备能较方便,快速的对角度和参考边的情况进行测量。
为了提高半导体级单晶硅晶棒定向测试装置的使用寿命等,可以采用铝合金制作装置中固定横杆。铝合金的密度低,耐腐蚀性能好,抗疲劳性能较高,比强度和比刚度都比较大,与结构钢甚至超高强度钢相当,所以在航空工业中得到广泛应用,用以减轻飞机结构重量,提高运载能力和速度。铝合金材料由于其较高的比强度、良好的耐蚀性等卓越的性能,已经广泛的应用于航空航天、机械、化工、人体植入材料等领域。然而,铝合金硬度较低,耐磨性差,严重影响了其优势的发挥,因此,提高铝合金的耐磨性具有非常重要的意义。目前,提高铝合金的耐磨性的方法主要由表面离子渗氮、激光熔覆、等离子喷涂、化学气相沉积、化学镀等,其中化学镀方法由于工艺简便、无需外加电流供应、操作过程简单、对基体的适应性强、无需大型设备、成本较低等显著优势受到了普遍欢迎,经过化学镀镍后可大大提高表面硬度、耐磨性和耐油气冲刷性能,可以大大拓宽铝合金材料的应用环境酸。但随着近年来对铝合金耐磨性要求的进一步提升,铝合金表面常规化学镀镍涂层已难以满足需要。铝合金上镀覆比钢铁和铜等金属材料上镀覆要困难和复杂得多,由于其性质活泼,表面在空气中极易与氧发生反应生成一层氧化膜,这层氧化膜的存在妨碍了铝合金进一步的表面处理;同时铝的电极电位很负,浸入镀液时能与多种金属离子进行置换反应,在铝上生成接触镀层,使镀层与铝基体的结合强度降低。目前铝合金化学镀的前处理方式工序较复杂,一般采用浸锌或浸锡后闪镀铜或闪镀镍的方法,工艺流程较长,工艺中需要控制的参数较多,工艺控制难度较大。人们已经发现通过在化学镀溶液中加入一些硬质颗粒可以提高涂层的耐磨性,然而并非所有的硬质颗粒均有好的耐磨效果,此外,如何提高这些硬质颗粒在涂层中的分散性,并提高这些硬质颗粒与涂层以及基体的结合能力是提高涂层的耐磨性亟待解决的重要问题。
基于上述问题,需要提供一种可以解决问题的单晶硅晶棒定向测试装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置。
本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置,包括柜体,所述柜体底面靠近四个顶角的位置处设置有移动滚轮,所述柜体前端面靠近顶部的位置处设置有书写板,所述柜体顶面靠近左、右两侧的位置处设置有支撑块,所述支撑块顶面之间靠近顶部的位置处设置有固定横杆,所述固定横杆中间的位置处设置有测量装置。
优选地,所述柜体前端面靠近底部的位置处设置有门板,所述门板前端面的位置处设置有手柄。
优选地,所述柜体内侧的位置处设置有配合所述书写板的支撑条,所述书写板底面的位置处设置有文件框。
优选地,所述书写板底面靠近前端的位置处设置有扣板。
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