[发明专利]一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置

权利要求书

1.一种半导体级单晶硅晶棒定向测试装置，其特征在于：包括柜体，所述柜体底面靠近四个顶角的位置处设置有移动滚轮，所述柜体前端面靠近顶部的位置处设置有书写板，所述柜体顶面靠近左、右两侧的位置处设置有支撑块，所述支撑块顶面之间靠近顶部的位置处设置有固定横杆，所述固定横杆中间的位置处设置有测量装置；

所述固定横杆由耐磨铝合金材料按常规工艺制备而成，所述耐磨铝合金材料的制备工艺为：

Ⅰ.将铝合金原料混合，置于700-750℃下进行熔融，完全熔融后得铝合金熔液；

Ⅱ.将铝合金熔液升温至800-850℃，加入精炼剂、月桂醇硫酸钠，在750-800℃下搅拌1-4h，接着加入六氯乙烷，其中所述铝合金熔液、精炼剂、月桂醇硫酸钠、六氯乙烷的质量比为100：(0.6-1.8)：(1-1.5)：(0.05-0.08)，在750-800℃下搅拌3-15min，静置20-50min，接着浇入温度为400-450℃的模具内，得到合金铸锭；对上述合金铸锭进行均匀化处理，在350-520℃下保温20-35h，得到均匀化处理的合金；

Ⅲ.对上述均匀化处理的合金进行固溶处理，固溶处理温度为500-560℃，固溶时间为1-8h，最后采用空冷的冷却方法进行冷却，冷却至100-160℃，得到固溶处理的合金；将固溶处理的合金进行时效处理，时效处理温度为100-160℃，时效处理的时间为20-28h，冷却，即得铝合金前体；

Ⅳ.按(20-40)：(20-30)：(20-40)：100的质量比，氢氧化钠、碳酸钠、磷酸钠、水混合，置于40-50℃下超声3-6min，得到碱洗液；将铝合金前体置于铝合金前体质量5-15倍的碱洗液中，在60-80℃下洗涤10-20min，取出后用水清洗至中性，干燥，得到碱洗后的铝合金；

Ⅴ.按(0.002-0.004)：(0.004-0.008)：(0.002-0.004)：100的质量比，将磷酸、盐酸、硝酸、水混合，置于40-50℃下超声3-6min，得到酸洗液；将碱洗后的铝合金置于酸洗液中，在20-35℃下洗涤10-30min，取出后用水清洗至中性，干燥，得到酸洗后的铝合金；

Ⅵ.将酸洗后的铝合金转入化学镀溶液中，调节pH至7-7.5，在80-85℃下超声施镀5-10min，调节pH至6-6.5，维持超声条件不变，在90-95℃下继续超声施镀20-40min，取出，用水清洗至中性，干燥，最后置于420-460℃下保温1-3h，冷却，即得；

所述化学镀溶液由下述质量份原料制备而来：硫酸镍3.2-4份、次亚磷酸钠3-4.5份、丙酸0.002-0.005份、络合剂3-4份、缓冲剂0.5-1份、表面活性剂0.005-0.01份、稳定剂0.005-0.01份、耐磨增强剂0.05-0.1份、水90-100份；

所述耐磨增强剂由纳米铜粉改性金刚石、改性蒙脱土按(1-5)：(1-5)的质量比混合而成；

所述改性蒙脱土的制备方法为：将蒙脱土置于250-500℃下焙烧5-8h，冷却，得到预处理的蒙脱土；按(0.002-0.004)：(0.004-0.008)：100的质量比，将磷酸、盐酸、水混合，置于40-50℃下超声3-6min，得到混合酸溶液，接着加入预处理的蒙脱土，所述混合酸溶液、预处理的蒙脱土的质量比为100：(0.2-0.5)，在50-80℃下加热搅拌20-40min，静置1-3h后，离心，去除上清液后用水进行洗涤至中性，干燥，得到酸改性蒙脱土；按(0.04-0.07)：(0.04-0.07)：30的质量比，将N-溴代琥珀酰亚胺、月桂基三甲基溴化铵、无水乙醇混合，得到混合液，向上述酸改性蒙脱土中加入所得混合液，所述酸改性蒙脱土、混合液的质量体积比为1g：(2-5)mL，在60-80℃下搅拌20-40min后，得到混合料，接着加入混合料质量2-5％的氯化铝，继续搅拌20-40min，离心，去除上清液后得到改性产物，用水进行洗涤2-6次，干燥，最后置于300-500℃下焙烧2-5h，即得。

2.根据权利要求1所述的半导体级单晶硅晶棒定向测试装置，其特征在于：所述柜体前端面靠近底部的位置处设置有门板，所述门板前端面的位置处设置有手柄。

3.根据权利要求1所述的半导体级单晶硅晶棒定向测试装置，其特征在于：所述柜体内侧的位置处设置有配合所述书写板的支撑条，所述书写板底面的位置处设置有文件框。