[发明专利]用于制造半导体装置的方法和系统

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

将止挡壁定位在晶片衬底上在半导体接合设备的第一平台与所述半导体接合设备的第二平台之间，所述第一平台具有第一按压表面，且所述第二平台具有面向所述第一平台的所述第一按压表面的第二按压表面，其中所述止挡壁及所述晶片衬底具有在垂直于所述第一按压表面的方向上从所述第二按压表面测量的组合高度，其中所述止挡壁至少部分地包围半导体裸片的堆叠，其中所述半导体裸片定位于所述晶片衬底与所述半导体接合设备的所述第一平台之间，且其中半导体裸片的所述堆叠具有在垂直于所述第一按压表面的方向上从所述第二按压表面测量的未按压堆叠高度；和

将所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止，由此在垂直于所述第一按压表面的方向上压缩半导体裸片的所述堆叠；

其中半导体裸片的所述堆叠的所述未按压堆叠高度大于所述止挡壁及所述晶片衬底的所述组合高度；且

其中在所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止之后，半导体裸片的所述堆叠具有按压堆叠高度，所述按压堆叠高度小于或等于所述止挡壁及所述晶片衬底的所述组合高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述止挡壁由刚性材料建构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述止挡壁由硅、金属、聚合物及玻璃中的一或多者建构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述止挡件的直径小于所述半导体接合设备的所述第二平台的直径。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，在将所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止之前，将半导体裸片的第二堆叠定位在所述止挡壁内部在所述晶片衬底与所述半导体接合设备的所述第一平台之间，半导体裸片的所述第二堆叠具有在垂直于所述第一按压表面的方向上从所述第二按压表面测量的第二未按压堆叠高度，其中半导体裸片的所述第二堆叠的所述第二未按压堆叠高度大于所述止挡壁及所述晶片衬底的所述组合高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，在将所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止之前，将半导体裸片的至少二十个堆叠定位在所述止挡壁内部在所述晶片衬底与所述半导体接合设备的所述第一平台之间。

7.一种用于制造半导体装置的热压接合TCB设备，所述TCB设备包括：

具有在第一方向上测量的高度的壁，所述壁经配置以定位于晶片上在半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间；和

至少部分地由所述壁包围的空腔，所述空腔经设定大小以接纳定位于所述晶片与所述第一按压表面之间的半导体裸片的堆叠，半导体裸片的所述堆叠具有如在所述第一方向上从所述晶片测量的未按压堆叠高度；

其中所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且其中所述壁经配置以由所述第一按压表面接触从而在半导体接合工艺期间限制所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的运动。

8.根据权利要求7所述的TCB设备，其中所述TCB设备由刚性材料建构。

9.根据权利要求7所述的TCB设备，其中所述TCB设备由硅建构。

10.根据权利要求7所述的TCB设备，其中所述TCB设备的所述空腔经配置以同时接纳半导体裸片的至少二十个堆叠。