[发明专利]高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201911187991.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110922182A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵洪峰;程宽;谢清云;刘冬季;李刚;蒙晓记 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 王山 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 梯度 泄漏 电流 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法,包括配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤，所述配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤依次进行，其特征在于，
所述配料步骤中，原料配方包括ZnO、Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2、B2O3和MgO，
所述球磨步骤中，将所述原料放入微纳米粉体分散研磨机，加入去离子水、聚乙烯醇、粉散剂研磨，获得浆料
所述喷雾造粒步骤中，将浆料进行喷雾造粒后，获得粉料，
将粉料通过压片成型，获得胚体，
所述烧结步骤中，将胚体高温烧结，
所述热处理步骤中，将高温烧结后的胚体进行冷却，获得陶瓷电阻片。
2.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法，其特征在于，所述配料步骤中，原料的各成分摩尔份数为ZnO（88.05-94.7mol%）、Bi2O3（0.75-2.25mol%）、Sb2O3（0.75-2mol%）、MnO2（0.75-1.25mol%）、Cr2O3（0.75-1.25mol%）、Co2O3（0.75-2mol%）、SiO2（1.25-2.5mol%）、B2O3（0.15-0.45mol%）、MgO（0.25-0.35mol%）。
3.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法，其特征在于，所述球磨步骤中，加入原料与去离子水的质量份数比为2：3。
4.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法，其特征在于，所述球磨步骤中，球磨时间为11-12h。
5.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法，其特征在于，成型步骤中，所述胚体的直径为50mm，成型压力为190MPa，保压时间为3min。
6.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流的其制备方法，其特征在于，所述烧结步骤中，将胚体以210-260℃/h的升温速率，在380℃左右保温排胶2h，然后涂高阻层从室温升温至烧结温度1240-1280℃，该烧结温度下保温4-6h。
7.根据权利要求1中所述的高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法，其特征在于，所述热处理步骤中，将高温烧结后的胚体从室温至500℃，升温速率为160-170℃/h；在500℃，保温1-3h：然后冷却，冷却速率为40-50℃/h。
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