[发明专利]半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体

说明书

本发明实施例涉及半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体。本揭示涉及一种半导体结构的制造方法。制造方法包含以下操作。取得半导体结构的预设工艺参数。将半导体结构分为多个单元。将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分。分别取得第一模拟事件及第二模拟事件。进行工艺模拟，工艺模拟是针对具有第一参数的所述单元，进行第一模拟事件，以及针对具有第二参数的所述单元，进行第二模拟事件。依据模拟结果，调整预设工艺参数。进行半导体结构的工艺。

技术领域

本揭示涉及一种制造方法，特别涉及一种半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体。

背景技术

晶片制造厂可使用多个处理操作(operation)制造或完成半导体晶片。所述处理操作与相关制造工具可涉及沉积、抛光、研磨、热氧化、扩散、离子布植、外延、蚀刻及光刻等技术。在各操作中，可能使用测量工具以监控产品(如半导体晶片)的质量及合格率。

发明内容

本揭示的实施例揭示一种半导体结构的制造方法，包含：取得半导体结构的预设工艺参数；将所述半导体结构分为多个单元；将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分；分别取得第一模拟事件及第二模拟事件；进行工艺模拟，所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元，进行所述第一模拟事件，以及针对具有所述第二参数的所述单元，进行所述第二模拟事件；依据模拟结果，调整预设工艺参数；及进行半导体结构的工艺。

本揭示的另一实施例揭示一种半导体结构的制造方法，包含：依据预设工艺参数，进行所述半导体结构的工艺；取得工艺参数；将所述半导体结构分为多个单元；将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分；根据所述工艺参数，分别取得第一模拟事件及第二模拟事件；进行工艺模拟，所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元，进行所述第一模拟事件，以及针对具有所述第二参数的所述单元，进行所述第二模拟事件；取得模拟结果；及依据所述模拟结果，调整所述预设工艺参数。

本揭示的另一实施例揭示一种计算机可读取存储媒体，存储至少一程序，当计算机加载所述程序并执行后，可完成一种半导体工艺的模拟方法，所述模拟方法包含：取得半导体结构的预设工艺参数；将所述半导体结构分为多个单元；将第一参数分配给所述单元的一部分，以及将第二参数分配给所述单元的另一部分；根据所述预设工艺参数，分别取得第一模拟事件及第二模拟事件；进行工艺模拟，所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元，进行所述第一模拟事件，以及针对具有所述第二参数的所述单元，进行所述第二模拟事件；及取得模拟结果。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下具体实施方式最佳理解本揭示的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为清楚论述，各个构件的尺寸可任意增大或减小。

图1为说明在根据本揭示的一些实施例中的半导体结构的制造方法的流程图。

图2A为说明在一些实施例中的根据本揭示的半导体结构的某个阶段的俯视图。

图2B为图2A所示在虚线方框中的半导体结构沿A-A直线的剖面示意图。

图3为说明在一些实施例中的根据本揭示的半导体结构的如图2B的反应表面的俯视示意图。

图4为说明在一些实施例中的根据本揭示的半导体结构的如图3的反应表面的俯视示意图。

图5为说明在一些实施例中的根据本揭示的半导体结构的某个阶段沿如图2A的A-A直线的剖面示意图。

图6为说明在根据本揭示的另一些实施例中的半导体结构的制造方法的流程图。

具体实施方式