[发明专利]半导体结构的制造方法及计算机可读取存储媒体在审

专利信息
申请号: 201911182275.0 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN112864042A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 粘群;张广兴;吴志强 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 李春秀
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 制造 方法 计算机 读取 存储 媒体
【权利要求书】:

1.一种半导体结构的制造方法,包含:

取得半导体结构的预设工艺参数;

将所述半导体结构分为多个单元;

将第一参数分配给所述单元的一部分,以及将第二参数分配给所述单元的另一部分;

分别取得第一模拟事件及第二模拟事件;

进行工艺模拟,所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元,进行所述第一模拟事件,以及针对具有所述第二参数的所述单元,进行所述第二模拟事件;

依据模拟结果,调整所述预设工艺参数;及

进行所述半导体结构的工艺。

2.根据权利要求1所述的制造方法,更包含:

判断所述工艺模拟是否有冲突(conflict)事件。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其中所述冲突事件包括进行所述第一模拟事件的所述单元其中之一与进行所述第二模拟事件的所述单元其中之一之间的距离为特定距离。

4.根据权利要求3所述的制造方法,其中如果判断为是,那么取消位在所述特定距离内的所述单元其中之一的所述第一模拟事件或所述第二模拟事件。

5.一种半导体结构的制造方法,包含:

依据预设工艺参数,进行所述半导体结构的工艺;

取得工艺参数;

将所述半导体结构分为多个单元;

将第一参数分配给所述单元的一部分,以及将第二参数分配给所述单元的另一部分;

根据所述工艺参数,分别取得第一模拟事件及第二模拟事件;

进行工艺模拟,所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元,进行所述第一模拟事件,以及针对具有所述第二参数的所述单元,进行所述第二模拟事件;

取得模拟结果;及

依据所述模拟结果,调整所述预设工艺参数。

6.根据权利要求5所述的制造方法,更包含:

判断所述工艺模拟是否有冲突(conflict)事件。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其中所述冲突事件包括进行所述第一模拟事件的所述单元其中之一与进行所述第二模拟事件的所述单元其中之一之间的距离为特定距离。

8.根据权利要求5所述的制造方法,其中更包括:

依据调整后的所述预设工艺参数,进行所述半导体结构的所述工艺。

9.一种计算机可读取存储媒体,存储至少一程序,当计算机加载所述程序并执行后,能够完成一种半导体工艺的模拟方法,所述模拟方法包含:

取得半导体结构的预设工艺参数;

将所述半导体结构分为多个单元;

将第一参数分配给所述单元的一部分,以及将第二参数分配给所述单元的另一部分;

分别取得第一模拟事件及第二模拟事件;

进行工艺模拟,所述工艺模拟是针对具有所述第一参数的所述单元,进行所述第一模拟事件,以及针对具有所述第二参数的所述单元,进行所述第二模拟事件;及

取得模拟结果。

10.根据权利要求9所述的存储媒体,更包含:

判断所述工艺模拟是否有冲突(conflict)事件。

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