[发明专利]一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法

说明书

一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法利用T型铂金坩埚生长出高质量BBO晶体。

技术领域

本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法。

背景技术

低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。

该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，流体流动缓慢，生长出来晶体包裹物多，质量差。

发明内容

本发明通过坩埚设计，在坩埚底部设计一个T型层，层上面分布着圆孔且上下层熔体贯通。本发明利用T型铂金坩埚和熔体导热能力的差异和圆孔结构，实现T型坩埚附近熔体和上层，下层熔体强制对流。本发明包含以下生长步骤：晶体前期籽晶杆转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，籽晶杆停止转动，开始1-2℃/天降温，直至降温120℃，停止生长，采用转炉取出晶体，生长得到高质量BBO晶体。

附图说明

图1是本发明晶体生长炉示意图

图中，1、籽晶杆电机，2、观察孔，3、籽晶杆，4、炉膛，5、籽晶，6、坩埚层，7、坩埚托，8、T型层示意图。

具体实施方式

本发明的实施例中，用于制备BBO晶体的生长设备如图1所示，将晶体生长原料熔融倒满生长坩埚，生长坩埚中部置于生长炉中，升温，试晶，将正式籽晶置于坩埚中部，转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，停止转动，开始以2℃/天的速率降温，生长4个月时取出晶体，得到高质量BBO晶体毛坯。