[发明专利]一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法在审
| 申请号： | 201911181804.5 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110923812A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;谢发利;张星;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 硼酸 晶体生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法器特征在于生长晶体设备采用铂金坩埚，铂金坩埚底部有一个T型层，层上面分布着圆孔且上下层熔体贯通，包含以下生长步骤：晶体前期籽晶杆转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，籽晶杆停止转动，开始1-2℃/天降温，直至降温120℃，停止生长，采用转炉取出晶体。
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