[发明专利]一种具有支撑架的空气桥及制作方法有效
申请号: | 201911180408.0 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110970359B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 徐智文;郑嘉润 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;B81B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 支撑架 空气 制作方法 | ||
本发明公布了一种具有支撑架的空气桥及制作方法,其中方法包括如下步骤:在衬底上涂布第一光阻;图形化第一光阻;在第一光阻上制作介电层;覆盖第二光阻,显影去除在第一光阻上面的第二光阻,保留第一光阻外侧的第二光阻;在第一光阻上面的区域制作空气桥金属;空气桥金属和介电层组成有具有支撑架的空气桥;去除第二光阻和第一光阻;本发明制作支撑架来支撑上方的空气桥金属,使得空气桥金属无须过厚,降低了成本。支撑架的支撑作用也使空气桥金属5可以进行长距离的垮桥,也可以在高低差较大的衬底上进行垮桥,同时又兼具良好的承受力,避免空气桥金属受到过重的压力而发生倒塌。支撑架的存在还可以隔离空气桥金属与桥下的底层线路。
技术领域
本发明涉及半导体器件上空气桥制作领域,尤其涉及一种具有支撑架的空气桥及制作方法。
背景技术
空气桥(Airbridge)是一种以MEMS的三维结构为概念,将两接点相连并横跨其他线路,相当于一种立交桥,避免绕线导致电阻及功耗增加,而空气的介电常数约为1,有利于形成桥上与桥下之间良好的绝缘层。一般空气桥基于结构强度的需求,桥厚度大于2um,以此避免湿式制程因毛细力作用使桥塌陷,并增加晶背制程可承受的应力,因此镀膜的金属消耗量较大(通常是金)。当设计的两连接点高低差较大时,桥底可能会接触衬底或桥下线路。而距离加长会降低空气桥可承受应力,所以通常所设计的空气桥越短越好。
发明内容
为此,需要提供一种具有支撑架的空气桥及制作方法,解决空气桥的强度不足,易发生倒塌的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种具有支撑架的空气桥的制作方法,包括如下步骤:
在衬底上涂布第一光阻;
图形化第一光阻,第一光阻定义支撑架的形状;
在第一光阻上制作介电层,介电层覆盖第一光阻和衬底,介电层作为支撑架,形成剖面为三角形的支撑架,支撑架与衬底面上连接的部分作为支撑部;
覆盖第二光阻,显影去除在第一光阻上面的第二光阻,保留第一光阻外侧的第二光阻;
在第一光阻上面的区域制作空气桥金属,空气桥金属在介电层上,空气桥金属和介电层组成具有支撑架的空气桥;
去除第二光阻和第一光阻。
进一步地,在图形化第一光阻,第一光阻定义支撑架的形状后,还包括步骤:
干法蚀刻第一光阻,使第一光阻的剖面形成三角形的形状,第一光阻的底面在衬底的面上。
进一步地,所述第一光阻的侧壁与底面之间的角度为40度以上。
进一步地,在图形化第一光阻时,还包括步骤:
控制曝光焦距在0~2微米,使曝光后第一光阻的厚度为0~2微米。
进一步地,在衬底上覆盖第一光阻前,还包括步骤:
在衬底上覆盖六甲基二硅胺烷。
进一步地,还包括步骤:
涂布光阻,显影光阻后,保留支撑架上的光阻,以光阻为掩模蚀刻支撑架外的介电层。
本发明提供了一种具有支撑架的空气桥,所述具有支撑架的空气桥由上述任意一项所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法制得。
本发明提供了一种具有支撑架的空气桥,所述具有支撑架的空气桥由支撑架和空气桥金属组成,所述支撑架具有与衬底连接的支撑部,空气桥金属在支撑架上,支撑架的剖面为三角形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造