[发明专利]一种具有支撑架的空气桥及制作方法有效
申请号: | 201911180408.0 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110970359B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 徐智文;郑嘉润 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;B81B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 支撑架 空气 制作方法 | ||
1.一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底上涂布第一光阻;
图形化第一光阻,第一光阻定义支撑架的形状,第一光阻的剖面为三角形,形成直的或者弯曲的三棱柱的形状;
在第一光阻上制作介电层,介电层覆盖第一光阻和衬底,介电层作为支撑架,形成剖面为三角形的支撑架,支撑架与衬底面上连接的部分作为支撑部;
覆盖第二光阻,显影去除在第一光阻上面的第二光阻,保留第一光阻外侧的第二光阻;
在第一光阻上面的区域制作空气桥金属,空气桥金属在介电层上,空气桥金属和介电层组成具有支撑架的空气桥,空气桥金属沿支撑架上沿横跨至穿导孔或其他接点,所述空气桥金属为横向走向,支撑架的三角形剖面为纵向走向;支撑架的数量为多个,底层线路置于两个支撑架之间,空气桥金属沿支撑架上沿横跨过底层线路;
去除第二光阻和第一光阻。
2.根据权利要求1所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,在图形化第一光阻,第一光阻定义支撑架的形状后,还包括步骤:
干法蚀刻第一光阻,使第一光阻的剖面形成三角形的形状,第一光阻的底面在衬底的面上。
3.根据权利要求2所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,所述第一光阻的侧壁与底面之间的角度为40度以上。
4.根据权利要求1所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,在图形化第一光阻时,还包括步骤:
控制曝光焦距在0~2微米,使曝光后第一光阻的厚度为0~2微米。
5.根据权利要求1所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,在衬底上覆盖第一光阻前,还包括步骤:
在衬底上覆盖六甲基二硅胺烷。
6.根据权利要求1所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法,其特征在于,还包括步骤:
涂布光阻,显影光阻后,保留支撑架上的光阻,以光阻为掩模蚀刻支撑架外的介电层。
7.一种具有支撑架的空气桥,其特征在于,所述具有支撑架的空气桥由权利要求1至6任意一项所述的一种具有支撑架的空气桥的制作方法制得。
8.一种具有支撑架的空气桥,其特征在于,所述具有支撑架的空气桥由支撑架和空气桥金属组成,所述支撑架具有与衬底连接的支撑部,空气桥金属在支撑架上,支撑架的剖面为三角形,空气桥金属沿支撑架上沿横跨至穿导孔或其他接点,所述空气桥金属为横向走向,支撑架的三角形剖面为纵向走向;支撑架的数量为多个,底层线路置于两个支撑架之间,空气桥金属沿支撑架上沿横跨过底层线路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造