[发明专利]硅片对准标记布局的优化方法

说明书

一种硅片对准标记布局的优化方法，该方法包括初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；优化对准标记在场格中的位置；计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置，从而提高套刻对准性能；通过优化方法给出最少对准标记测量个数，从而减少对准系统测量时间，为提升产率提供可能。

技术领域

本发明属于集成电路或其他精密制造技术领域，尤其一种硅片对准标记布局的优化方法。

背景技术

在集成电路制造领域，通过光刻设备，实现将掩模图形按一定比例复制到硅片上。光刻过程中，掩模硅片对准是最关键的步骤之一。通常对准标记同掩模上电路图形一同曝光，位于场格边缘的划线槽内，如场格右上角(如图2所示)。在下一层图形曝光前通过测量硅片上对准标记的位置，计算待曝光图形在硅片上的位置，实现两层图形间的精确对准。鉴于测量较多的对准标记需花费较长的时间，影响产率。因此，为了平衡产率和对准精度，目前通常选取测量几十个对准标记。然而待曝光硅片进入光刻机前一般都存在一定程度的变形，当实际硅片面与理想平面偏离越大，通过对准算法拟合出硅片面的误差就越大，对准模型精度强烈依赖于对准标记个数和标记位置。为了更好的拟合硅片面，减小硅片变形对对准模型的影响，必须设计最优的对准标记位置。特别是，随着工艺节点的不断减小，EUV(极紫外)光刻技术已成为实现10nm以下工艺节点的必然趋势。EUV光刻装备对对准精度要求更为严苛。因此，降低硅片变形引起的网格校正误差，提高对准模型精度意义重大。

为了解决因硅片变形导致对准网格修正模型拟合精度较低的问题，本发明提出一种硅片对准标记布局优化方法，实现对准标记在硅片面的分布以及对准标记个数的合理优化。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的之一在于提出一种硅片对准标记布局的优化方法，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。

为了实现上述目的，本发明提供了一种硅片对准标记布局的优化方法，包括：

初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；

根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；

优化对准标记在场格中的位置；

计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。

基于上述技术方案可知，本发明的硅片对准标记布局的优化方法相对于现有技术至少具有以下优势之一：

1、本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置，从而提高套刻对准性能；

2、本发明通过优化方法给出最少对准标记测量个数，从而减少对准系统测量时间，为提升产率提供可能。

附图说明

图1为本发明实施例中硅片对准标记布局的优化方法的流程图；

图2为本发明实施例中硅片内场格布局以及对准标记分布示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

本发明公开了一种硅片对准标记布局的优化方法，包括：

初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；

根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；

优化对准标记在场格中的位置；

计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。