[发明专利]硅片对准标记布局的优化方法

权利要求书

1.一种硅片对准标记布局的优化方法，其特征在于，包括：

初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；

根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；其中，所述优化对准标记所处场格的方法包括根据对准标记测量值和对准标记实际位置值进行最小二乘法拟合，遍历硅片上的场格，选取拟合误差最小的组合即为优化的对准标记所处场格；所述对准标记测量值是直接测量得到的；所述对准标记实际位置值通过分析同批次或同工艺流程的硅片、获取硅片变形数据、然后通过插值算法得到的；

优化对准标记在场格中的位置；具体包括：

曝光场实际位置(R_x,R_y)，将对准标记在曝光场场格中的位置设计值(x_m,y_m)，结合对准标记的测量结果可以得到对准标记所在曝光场场格的测量值，(M_x(x_m),M_y(y_m))，将(x_m,y_m)作为变量，通过优化算法，计算误差平方和E＝∑(R_x-M_x)²+∑(R_y-M_y)²，当E最小时，即得到最优的标记位置(x_m,y_m)；

计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化；其中计算所述最小的对准标记个数包括：

根据优化后的对准标记所处场格和优化后的对准标记在场格中的位置，遍历所选场格，依次减少对准标记个数，选取满足误差阈值且对准标记个数最小的组合，即得到最优的对准标记个数。

2.根据权利要求1所述的优化方法，其特征在于，

所述插值算法包括多项式插值算法、牛顿插值算法、样条插值算法。

3.根据权利要求1所述的优化方法，其特征在于，

所述优化算法包括最小二乘法。

4.根据权利要求1所述的优化方法，其特征在于，

所述误差阈值是根据对准误差预算确定的。