[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有第一牺牲膜；

在所述第一牺牲膜上形成若干相互分立的第一侧墙和若干侧墙沟槽，各所述侧墙沟槽位于相邻的所述第一侧墙之间，若干所述侧墙沟槽中具有第一侧墙沟槽与第二侧墙沟槽，所述第二侧墙沟槽的宽度大于所述第一侧墙沟槽的宽度；

在所述第一侧墙沟槽内形成第二侧墙，所述第二侧墙填充满所述第一侧墙沟槽；

以所述第一侧墙与所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述第一牺牲膜，在所述待刻蚀层上形成若干第一牺牲层；

在所述第一牺牲层侧壁形成第三侧墙。

2.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述待刻蚀层为多层结构，所述待刻蚀层包括基底、位于所述基底上的掩膜结构、位于所述掩膜结构上的第一停止层。

3.如权利要求1所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成方法包括：在所述第一牺牲膜上形成第二停止层，在所述第二停止层上形成若干相互分立的第二牺牲层与若干牺牲层沟槽，各所述牺牲层沟槽位于相邻的所述第二牺牲层之间，若干所述牺牲层沟槽中具有第一牺牲层沟槽与第二牺牲层沟槽，所述第二牺牲层沟槽的宽度大于所述第一牺牲层沟槽的宽度；在所述第二牺牲层的侧壁形成所述第一侧墙；在形成所述第一侧墙之后，去除所述第二牺牲层。

4.如权利要求3所述半导体结构形成的方法，其特征在于，在所述第二牺牲层侧壁形成所述第一侧墙的方法包括：在所述第二停止层暴露出的顶部表面、以及所述第二牺牲层的侧壁与顶部表面形成第一侧墙膜；回刻蚀所述第二停止层顶部表面、以及所述第二牺牲层顶部表面的第一侧墙膜，直至暴露出所述第二停止层顶部表面与所述第二牺牲层顶部表面为止，在所述第二牺牲层侧壁形成所述第一侧墙。

5.如权利要求3所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一牺牲层沟槽的宽度与所述第一侧墙的厚度之比大于2:1，所述第二牺牲层沟槽的宽度与所述第一侧墙的厚度之比大于2:1。

6.如权利要求4所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一侧墙膜的形成工艺包括原子层沉积工艺。

7.如权利要求4所述半导体结构形成的方法，其特征在于，回刻蚀所述第一侧墙膜的采用的工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺或各向异性的湿法刻蚀工艺。

8.如权利要求4所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一侧墙膜的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求3所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第二牺牲层的形成方法包括：在所述第二停止层上形成第二牺牲膜；在所述第二牺牲膜上形成若干相互分立的图形化结构；以所述图形化结构为掩膜刻蚀所述第二牺牲膜，直至暴露出所述第二停止层为止，形成所述第二牺牲层；在形成所述第二牺牲层之后，去除所述图形化结构。

10.如权利要求3所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成方法包括：在所述第二停止层暴露出的顶部表面、以及所述第一侧墙的侧壁与顶部表面形成第二侧墙膜；刻蚀所述第二侧墙沟槽表面以及所述第一侧墙顶部表面的所述第二侧墙膜，直至暴露出所述第二停止层顶部表面与所述第一侧墙顶部表面为止，形成所述第二侧墙。

11.如权利要求10所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第一侧墙沟槽的宽度与所述第二侧墙的厚度之比小于2:1，且所述第二侧墙沟槽的宽度与所述第二侧墙的厚度之比大于2:1。

12.如权利要求10所述半导体结构形成的方法，其特征在于，所述第二侧墙膜的形成工艺包括原子层沉积工艺。

13.如权利要求10所述半导体结构形成的方法，其特征在于，刻蚀所述第二侧墙膜的采用的工艺包括各向同性的干法刻蚀工艺或各向同性的湿法刻蚀工艺。